[发明专利]一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶及测量方法在审
| 申请号： | 201810424152.2 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108615564A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张璐;杨品;张晓璐;况龙钰;林雉伟;景龙飞;李丽灵;郑建华;黎航;江少恩 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G21B1/23 | 分类号： | G21B1/23;G21C17/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张明利 |
| 地址： | 621900 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膜层 碳氢 靶面 烧蚀 掺杂元素 测量靶 层堆叠 平面靶 元素层 透射 能流 测量 激光束入射面 测量精准 厚度可调 激光聚变 间接驱动 梯度掺杂 传统的 观测面 透过率 加热 替代 | ||
1.一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，包括靶面，其特征在于，所述靶面为逐层堆叠的平面靶结构，其由上至下依次包括第一碳氢膜层、中Z元素层和第二碳氢膜层，且第一碳氢膜层的厚度大于第二碳氢膜层的厚度，所述第一碳氢膜层作为激光束入射面，所述第二碳氢膜层作为观测面，所述中Z元素层的厚度可调。
2.根据权利要求1所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，所述第一碳氢膜层的厚度为18-45μm，所述第二碳氢膜层的厚度为08-1.2μm。
3.根据权利要求2所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，所述中Z元素层的中Z元素为Si，且中Z元素层的厚度为0.5-1.5μm。
4.根据权利要求3所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，所述第一碳氢膜层的厚度为18μm，所述第二碳氢膜层的厚度为0.8μm，所述中Z元素层的厚度为0.7μm。
5.根据权利要求3所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，所述第一碳氢膜层的厚度为45μm，所述第二碳氢膜层的厚度为1μm，所述中Z元素层的厚度为1.2μm。
6.根据权利要求2所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，所述中Z元素层的中Z元素为Ge，且中Z元素层的厚度为0.2-0.7μm。
7.根据权利要求6所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，所述第一碳氢膜层的厚度为18μm，所述第二碳氢膜层的厚度为0.8μm，所述中Z元素层的厚度为0.2μm。
8.根据权利要求6所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，所述第一碳氢膜层的厚度为45μm，所述第二碳氢膜层的厚度为1.2μm，所述中Z元素层的厚度为0.7μm。
9.根据权利要求1-8任一所述的一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶，其特征在于，还包括黑腔靶和屏蔽片，所述黑腔靶为空心且两端开口的筒状结构，其侧壁上开设诊断孔，所述靶面位于诊断孔处，且第一碳氢膜层面向黑腔靶的内腔，所述屏蔽片为空心的圆台结构，其位于黑腔靶的端部。
10.一种采用如权利要求1-9任意一项所述的烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：激光装置发射激光束，所述激光束入射至黑腔靶的内腔并与黑腔靶作用产生辐射源；
S2：所述辐射源作用于靶面并烧蚀第一碳氢膜层，改变第一碳氢膜层厚度，使中Z元素层分别处于冲击波加热状态、辐射热波加热状态，并分别获得观测面处的透射能流数据，即得到中Z元素在不同烧蚀状态下的透射能流。
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