[发明专利]一种适用于APD阵列的带有高压保护的电荷灵敏放大器在审

专利信息
申请号: 201810425616.1 申请日: 2018-05-07
公开(公告)号: CN108696253A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 邱赫梓;鲁文高;金美岑 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/70
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 张肖琪
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 信号处理电路 高压保护 输入相 电荷灵敏放大器 高压保护电路 灵敏放大器 探测器接口 可调增益 耐高压 旁路 耐高压电路 运算放大器 电路设计 调整增益 输出复位 输出检测 系统稳定 自动复位 输入端 电容 跨接 输出 应用
【说明书】:

一种工作于需要耐高压电路的电荷灵敏放大器,可以应用于APD探测电路的输入端保护。包括探测器接口、高压保护电路、运算放大器、跨接电容、信号处理电路。探测器接口与旁路高压保护相连接,旁路高压保护与可调增益的耐高压灵敏放大器输入相连接,可调增益的耐高压灵敏放大器输出与信号处理电路输入相连接,信号处理电路会输出复位信号与高压保护电路输入相连接,同时信号处理电路也会输出检测的结果。本发明APD保护电路设计合理,可以调整增益幅度,可进行自动复位,系统稳定。

技术领域

本发明设计光电成像技术,是一种工作于线性模式的APD阵列的成像读出电路,属于微电子及光电子领域。

背景技术

在军用、民用的光电成像领域,雪崩光电二极管(APD)可以用来探测单个光子信号的新型高灵敏探测传感器件。其工作原理是利用内部强电场作用,产生雪崩倍增效应。因为APD灵敏度高、响应速度块,并且可以阵列化,因此常用于微弱信号检测、光线通讯等军事监控和民用通讯等领域的探测器和接收。

焦平面阵列一般由探测器阵列和读出电路(ROIC)组成,其中探测器的作用是将微弱的光信号转化为微弱的电流信号。工作于线性模式的电路所产生的信号电流与光信号成正比。读出电路的作用是,将微弱的电信号转化为处理机可处理的电信号或数字信号。在电路工作过程中,因为探测器阵列中的像素可能因击穿而失效短路,N on P型雪崩二极管在击穿后,电路会产生负几十伏的电压,导致在硅片上产生一个较大的泄漏电流,容易将芯片烧毁。

本实例的高压保护电路即为解决N型雪崩二极管失效后,对于芯片内部其余电路进行保护,使得芯片其余部分仍然可正常工作,以达到提高产品耐用度、成品率。因此设计一个可靠的高压保护电路,是目前雪崩光电二极管读出电路的常见做法。

发明内容:

本发明提供了一种用于APD需要耐高压电路的电荷灵敏放大器,本发明原理时利用探测器产生的光电流信号的脉冲判断光源,将该时刻的信息存储,从而产生目标距离的3D坐标信息。通过电路产生的脉冲间隔确定探测器与物体之间的距离。

本实例适用于N on P APD,该APD工作于负电压区。对于常规结构,如果MOS管的栅或源漏直接与探测电路连接,当探测器发生意外击穿时,MOS管的栅会被击穿,源漏则会导致PN结正偏,产生漏电流,使得电路失效。本专利的特殊设计可以保证在探测器失效时,余下读出电路仍能继续工作不受影响。

本专利设计中,探测器件输出与一个漏端耐高压的PMOS、两个耐高压的电容相连接。耐高压管在工作时充当复位管,使得APD探测器在工作时保持一个固定电平,两个耐高压电容C0、C1,其中一个电容C0与电流灵敏放大器的负输入端相连,另一个C1与电流灵敏放大器的输出端相连接。这样的连接模式使得与耐高压结点连接的有源器件仅有一个高压管。当探测器击穿时,与探测器相连的节点电压会被拉低到负几十伏,但由于与高压管连接,另一端是耐高压的电容。本专利提出的结构在可以使APD正常工作的同时,起到保护电路的效果。

本发明采用的技术方案如下:

一种工作于线性模式APD的主动成像保护电路,其特征在于设有探测器、高压保护电路、电流灵敏放大器 (CSA)、溢出检测电路、增益控制电路、高通滤波器、及复位控制部分。探测器输出与高压保护电路输入相连接,高压保护电路的输出与电流灵敏放大器输入连接;电流灵敏放大器输出与溢出检测电路输入、高通滤波器输入连接;高通滤波器输出、溢出检测电路输出与复位控制连接;复位控制输出与高压保护电路输入连接。

本发明优点及显著效果:

(1)本保护电路可以实现对N on P型APD的保护,需要高压保护管数量少,适用大规模阵列。

(2)本发明可以同时进行APD探测器输出端的电压复位操作,利用现有结构实现溢出复位、检测复位的操作。

(3)本结构利用的高压管数量较少,仅为1个,有助于芯片内部利用率的提升和成本的降低。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810425616.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top