[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810427348.7 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108565274A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨龙康;林宗德;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 滤镜 图像传感器 衬底 半导体 光电二极管 多层 格栅 半导体衬底表面 边缘位置 图像品质 像素区域 光损耗 网格状 折射率 堆叠 开口 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；
网格状的格栅，位于所述半导体衬底的表面；
滤镜结构，位于所述格栅的开口内，且位于所述光电二极管的上方；
其中，所述滤镜结构包含有堆叠的多层滤镜，且所述多层滤镜中越靠近所述半导体衬底表面的滤镜，其折射率越大。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：
透镜结构，位于所述滤镜结构的表面，外部光线经由所述透镜结构进入所述滤镜结构。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述滤镜结构中不同的滤镜的材料不同。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述滤镜结构中滤镜的层数为3至5层。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述滤镜结构中各个滤镜的厚度在预设误差范围内。
6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；
在所述半导体衬底的表面形成网格状的格栅；
在所述格栅的开口内形成滤镜结构，且所述滤镜结构位于所述光电二极管的上方；
其中，所述滤镜结构包含有堆叠的多层滤镜，且所述多层滤镜中越靠近所述半导体衬底表面的滤镜，其折射率越大。
7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述滤镜结构的表面形成透镜结构，外部光线经由所述透镜结构进入所述滤镜结构。
8.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述滤镜结构中的各个滤镜是采用不同的CVD工艺参数分别形成的。
9.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述滤镜结构中滤镜的层数为3至5层。
10.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述滤镜结构中各个滤镜的厚度在预设误差范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
