[发明专利]一种电光扫描的TOF

说明书

本发明公开一种电光扫描的TOF，其包括依次设置的Walk‑off晶体、1/2波片、KTN晶体、DWDM膜片和直角反射棱镜，入射光从Walk‑off晶体一侧入射，1/2波片设于Walk‑off晶体的出光面，入射光从KTN晶体的一侧入射，并经设在KTN晶体的另一侧的第一反射镜反射至设在KTN晶体一侧的第二反射镜，第二反射镜将入射光反射至DWDM膜片，经DWDM膜片射出至直角反射棱镜，入射光经直角反射棱镜的两次反射后形成反射光，反射光依次通过DWDM膜片、KTN晶体、1/2波片和Walk‑off晶体从Walk‑off晶体的一侧射出。本发明结构简单，适用于大幅度电光偏转角度的TOF扫描。

技术领域

本发明涉及光纤通讯领域，尤其涉及一种电光扫描的TOF。

背景技术

现有TOF的研究一般尝试机械扫描，但是机械扫描结构较为复杂且可扫描的电光偏转角度受限。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种电光扫描的TOF。

本发明采用的技术方案是：

一种电光扫描的TOF，其包括依次设置的Walk-off晶体、1/2波片、KTN晶体、DWDM膜片和直角反射棱镜，入射光从Walk-off晶体的一侧入射，1/2波片设于Walk-off晶体的出光面，KTN晶体的两极设有电极，KTN晶体的一侧设有第二反射镜，KTN晶体的另一侧设有第一反射镜，入射光从KTN晶体的一侧入射，并经第一反射镜反射至第二反射镜，第二反射镜再将入射光反射从KTN晶体的另一侧射出至DWDM膜片，并经DWDM膜片射出至直角反射棱镜，入射光经直角反射棱镜的两次反射后形成反射光，反射光依次通过DWDM膜片、KTN晶体、1/2波片和Walk-off晶体从Walk-off晶体的一侧射出。

进一步地，入射光经由一发射准直器入射。

进一步地，Walk-off晶体的一侧射出的反射光由一接收准直器接收。

进一步地，Walk-off晶体的一侧与接收准直器之间还设有斜方棱镜，Walk-off晶体的一侧的射出的反射光经由斜方棱镜的偏移后由接收准直器接收。

本发明采用以上技术方案，采用折叠反射三次通过KTN晶体，与宽入射角DWDM膜片，直角反射棱镜，或角锥使光两次通过DWDM膜片，实现电光偏转扫描角的TOF。本发明采用上述结构，可折叠反射转动22°角。本发明结构简单，适用于大幅度电光偏转角度的TOF扫描。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明；

图1为本发明一种电光扫描的TOF的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本发明公开了一种电光扫描的TOF，其包括依次设置的Walk off晶体1、1/2波片2、KTN晶体3、DWDM膜片4和直角反射棱镜5，入射光从Walk off晶体1的一侧入射，1/2波片2设于Walk off晶体1的出光面，KTN晶体3的两极设有电极，KTN晶体3的一侧设有第二反射镜7，KTN晶体3的另一侧设有第一反射镜6，入射光从KTN晶体3的一侧入射，并经第一反射镜6反射至第二反射镜7，第二反射镜7再将入射光反射从KTN晶体3的另一侧射出至DWDM膜片4，并经DWDM膜片4射出至直角反射棱镜5，入射光经直角反射棱镜5的两次反射后形成反射光，反射光依次通过DWDM膜片4、KTN晶体3、1/2波片2和Walk off晶体1从Walk off晶体1的一侧射出。KTN 是目前为止发现的最大二次电光效用的晶体，他能够以横向电场方向工作，入射到晶体的光要的以横向偏振态方式入射。

进一步地，入射光经由一发射准直器8入射。

进一步地，Walk off晶体1的一侧射出的反射光由一接收准直器9接收。