[发明专利]X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器

权利要求书

1.一种X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和第一数据线以及接收电极；

在所述衬底基板上形成覆盖所述薄膜晶体管和所述衬底基板的第一钝化层；

在所述第一钝化层上对应于所述第一数据线的区域形成第一过孔，对应于所述接收电极的区域形成第二过孔；

在所述第一钝化层上形成覆盖所述衬底基板的光电转换层，使得所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层；

对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；

在所述第二过孔对应区域的光电转换层上形成第一导电层；

在所述衬底基板上依次涂覆整个所述衬底基板的树脂层和第二钝化层；

对所述树脂层和所述第二钝化层进行刻蚀，在所述第一过孔对应区域形成过孔露出所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在所述第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出所述第一导电层。

2.根据权利要求1所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，

对所述光电转换层进行刻蚀，保留所述第二过孔对应区域的光电转换层，保留所述第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，包括：

在所述光电转换层上形成覆盖整个所述衬底基板的等厚度的光刻胶，通过半色调掩膜曝光工艺，在所述第一过孔对应区域形成第一厚度的光刻胶，在所述第二过孔对应区域形成第二厚度的光刻胶，所述第二厚度大于所述第一厚度，去除其他区域的光刻胶；

以所述第一厚度的光刻胶和所述第二厚度的光刻胶形成的窗口为掩模，对所述光刻胶下方的光电转换层进行部分刻蚀，刻蚀预设厚度后停止刻蚀；

通过灰化方式去除所述第一厚度的光刻胶，保留所述第二厚度的光刻胶；

以相同的刻蚀速率对所述第二过孔区域之外的光电转换层进行刻蚀，完全刻蚀掉所述薄膜晶体管上的光电转换层，保留所述第一过孔内的光电转换层的部分膜层。

3.根据权利要求2所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预设厚度为所述光电转换层厚度的1/3。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第二钝化层上形成第二数据线、遮光层和遮挡电极，所述第二数据线通过第三过孔与所述光电转换层的部分膜层部分连接，所述遮光层与所述薄膜晶体管的有源层相对，所述遮挡电极通过第四过孔与所述第一导电层连接；

形成第三钝化层，使所述第三钝化层相对于所述衬底基板的投影覆盖所述衬底基板；

通过过孔刻蚀在所述第三钝化层上形成第五过孔，所述第五过孔贯穿至所述遮挡电极；

形成第二导电层，所述第二导电层通过所述第五过孔与所述遮挡电极连接。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的X-ray探测器阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层上形成光电转换层，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述光电转换层，具体为：

在所述第一钝化层上依次形成N型非晶硅、I型非晶硅和P型非晶硅，所述第一过孔和所述第二过孔内填充有所述N型非晶硅。