[发明专利]过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板

权利要求书

1.一种过孔连接结构的制造方法，包括：

在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔，所述衬底基板为硅基板；

在所述第一过孔中形成连接部，所述连接部的表面与所述绝缘层的表面齐平；

在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层；

在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔；

至少部分去除所述保护层，暴露出所述连接部；

所述制造方法还包括：在形成所述绝缘层之前，在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极，

其中，所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极，

所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露所述第一接触电极和所述第二接触电极，

所述第一接触电极与所述连接部电连接。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述衬底基板上的同一层中形成。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中，至少部分去除所述保护层包括：

在所述保护层上涂覆第一光刻胶层，采用第一掩模板对所述第一光刻胶层曝光、显影，以形成第一刻蚀掩膜，所述第一刻蚀掩膜包括保留在所述第二过孔中的部分；

采用所述第一刻蚀掩膜刻蚀所述保护层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中，在所述绝缘层和所述保护层中形成所述第二过孔包括：

在所述保护层上涂覆第二光刻胶层，采用第二掩模板对所述第二光刻胶层曝光、显影，以形成第二刻蚀掩膜；

采用所述第二刻蚀掩膜对所述保护层和所述绝缘层进行刻蚀。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中，所述第一掩模板和所述第二掩模板是同一掩模板或具有相同的图案，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层采用性质相反的光刻胶材料。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述连接部包括：

形成在所述绝缘层上形成导电层，其中所述导电层填充所述第一过孔，

进行抛光处理以去除所述绝缘层表面上的所述导电层，从而使得所述连接部的表面与所述绝缘层的表面齐平。

7.如权利要求1所述的制造方法，还包括：在至少部分去除所述保护层之后，在所述绝缘层之上形成第一电极，其中，所述第一电极与所述连接部电连接。

8.如权利要求7所述的制造方法，还包括：在形成所述第一电极的同时，在所述第二过孔中形成第二电极。

9.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括过孔连接结构，所述制造方法包括：

包括采用如权利要求1-6中任一所述的制造方法形成所述过孔连接结构。

10.如权利要求9所述的制造方法，所述阵列基板包括显示区和焊盘区，其中，所述第一过孔位于所述显示区，所述第二过孔位于所述焊盘区。

11.如权利要求9所述的制造方法，还包括：在至少部分去除所述保护层之后，在所述绝缘层之上形成第一电极，其中，所述第一电极与所述连接部电连接。

12.如权利要求11所述的制造方法，还包括：在所述第一电极上形成有机发光二极管。

13.如权利要求9所述的制造方法，其中，所述阵列基板包括源漏电极层和栅极层，

所述第一接触电极和第二接触电极与所述源漏电极层形成于同一层，或者所述第一接触电极与所述第二接触电极分别与所述源漏电极层和所述栅极层形成于同一层。

14.一种阵列基板，采用如权利要求9-13任一所述的制造方法形成。