[发明专利]半导体发光微显示器件及其制造方法以及衬底剥离方法

权利要求书

1.半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

一，提供外延芯片，所述外延芯片包括衬底、N-GaN、有源层及P-GaN；

二，在所述P-GaN表面沉积绝缘保护层；

三，在所述绝缘保护层表面涂覆负性光刻胶，刻蚀开槽至所述P-GaN表面；

四，进一步刻蚀至所述衬底表面，且刻蚀使得由所述N-GaN、有源层至P-GaN横截面的宽度逐渐增大，形成多个外延结构，并将所述负性光刻胶及绝缘保护层刻蚀去除；

五，在所述P-GaN上形成连接电极；

六，将所述连接电极键合至像素电极；

七，剥离所述衬底；

八，将所述像素电极键合至驱动电路，所述驱动电路与所述外延结构电连接；在所述N-GaN表面形成透光导电层，所述透光导电层与所述驱动电路之间形成导电胶；

在剥离所述衬底之前，在远离N-GaN一侧衬底表面上形成三维光子晶体。

2.如权利要求1所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：在所述P-GaN上形成连接电极后，减薄所述衬底；在剥离所述衬底之前，在远离N-GaN一侧衬底表面上形成三维光子晶体。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：通过纳米压印在远离N-GaN一侧衬底表面上形成三维光子晶体。

4.如权利要求3所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：采用RIE或ICP技术将光子晶体图形转移至石英母板，其次，采用热固化软模版复型技术将光子晶体图案从石英母板转移至软模版，然后，采用功能材料纳米压印技术将光子晶体图案从软模版转移至弹性凝胶，在保持压力的状态下，弹性凝胶固化成型，带有预先设计的纳米量级光子晶体图案制备至高弹性凝胶层，固定光子晶体的晶格位置，将粘弹性聚合物填充在晶格中即可得到具有光子晶体结构的单层弹性凝胶-粘弹性聚合物复合层，最后，通过逐层压印的方法产生堆叠的结构即形成所述三维光子晶体，将所述三维光子晶体键合至减薄后所述衬底表面。

5.如权利要求1所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：在所述P-GaN上形成连接电极后，减薄所述衬底。

6.如权利要求1所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：在步骤八中，所述外延结构之间注入非导电胶。

7.如权利要求1所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：还包括步骤九，在所述透光导电层表面涂覆负性光刻胶，在所述负性光刻胶上形成开槽，在所述开槽中沉积量子点薄膜，通过三次光刻分别形成R、G、B三色量子点薄膜。

8.如权利要求1所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：步骤二中，所述绝缘保护层包括SiO₂薄膜体系或Si₃N₄薄膜体系；所述绝缘保护层的厚度为300-500纳米。

9.如权利要求1所述的半导体发光微显示器件制造方法，其特征在于：步骤三中，对所述负性光刻胶进行匀胶、前烘、曝光、坚膜、显影步骤形成正面图形，所述负性光刻胶的厚度7-15微米，倒角30度-60度，坚膜温度120-150℃，坚膜时间20-60分钟，坚膜后所述负性光刻胶与所述P-GaN的干法蚀刻选择比小于1，选取氢氟酸与水、氟化氨混合液蚀刻开槽区域。