[发明专利]形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：

提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；

通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及

将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该极紫外线微影技术运用具有正型显影(PTD)光阻的暗场分划板，该暗场分划板决定该预定义距离。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该预定义距离小于大约80纳米(nm)。

4.如权利要求2所述的方法，其中，该极紫外线微影技术包括：

图型化该正型显影光阻以使掩模位在该正型显影光阻底下的部分曝露；以及

形成位在该掩模的该曝露部分中的开口以使该第一虚设鳍片子集曝露，其中，该多个工作鳍片及该第二虚设鳍片子集维持受该掩模覆盖。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在移除该第一虚设鳍片子集的同时，通过该极紫外线微影技术将该第二虚设鳍片子集的该至少一部分移除。

6.如权利要求1所述的方法，其中，将该第二虚设鳍片子集的该至少一部分移除包含通过运用阻隔掩模的微影技术将该第二虚设鳍片子集整个移除。

7.如权利要求6所述的方法，其中，运用该阻隔掩模的该微影技术包括：

形成位在该第二虚设鳍片子集及该多个工作鳍片上方的该阻隔掩模；

图型化光阻以使其底下该阻隔掩模的布置于该第二虚设鳍片子集上方的部分曝露；以及

形成位在该阻隔掩模的该曝露部分中的开口以使该第二虚设鳍片子集曝露，其中，该工作鳍片维持受该阻隔掩模覆盖。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包含：

在该阻隔掩模的该曝露部分中形成该开口之后，将该光阻从该阻隔掩模上方移除，并且移除该阻隔掩模。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该多个工作鳍片包括工作氮化物鳍片，而且进一步包含：

使用该工作氮化物鳍片形成主动半导体鳍片。

10.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：

提供位在半导体衬底上方的氮化物鳍片集合，该氮化物鳍片集合包括多个工作氮化物鳍片及多个虚设氮化物鳍片；

进行极紫外线(EUV)微影技术将该多个虚设氮化物鳍片的第一子集从该半导体衬底上方移除，使得该多个虚设氮化物鳍片的第二子集与该多个工作氮化物鳍片留下，其中，该多个虚设氮化物鳍片的该第一子集离该多个工作氮化物鳍片在预定义距离内，并且该多个虚设氮化物鳍片的该第二子集离该多个工作氮化物鳍片中任一者超出该预定义距离；以及

自该多个虚设氮化物鳍片的该第二子集形成虚设半导体鳍片集合，并且自该多个工作氮化物鳍片形成主动半导体鳍片集合。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该预定义距离通过该极紫外线微影技术来决定。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该极紫外线微影技术运用正型显影(PTD)光阻及暗场分划板，该暗场分划板决定该预定义距离。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该预定义距离小于大约80纳米(nm)。

14.如权利要求10所述的方法，进一步包含：

进行运用阻隔掩模的微影技术将该虚设半导体鳍片集合移除，使得该主动半导体鳍片集合留在该半导体衬底上。