[发明专利]存储器系统

权利要求书

1.一种存储器系统，该存储器系统包括：

控制器，该控制器被配置为生成并输出与正常操作对应的第一命令或者与深度省电DPD模式对应的第二命令；以及

半导体存储器装置，该半导体存储器装置被配置为响应于所述第一命令执行所述正常操作，其中，所述正常操作使用通过将第一外部电源电压下转换而生成的内部电源电压来执行，并且响应于所述第二命令在所述DPD模式下操作，其中，在所述DPD模式下，所述半导体存储器装置使用第二外部电源电压作为所述内部电源电压来操作，

其中，所述半导体存储器装置包括被配置为生成所述内部电源电压的内部电源生成电路，并且

其中，所述内部电源生成电路包括：

反馈电压生成电路，所述反馈电压生成电路被配置为响应于使能信号而通过对所述内部电源电压分压来生成反馈电压；以及

输出电路，所述输出电路被配置为接收由基准电压和所述反馈电压之间的电压差控制的内部电压，并且通过响应于所述使能信号根据所述内部电压的电位电平控制所述第一外部电源电压的电流量来生成所述内部电源电压。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述第二外部电源电压的电位电平低于所述第一外部电源电压的电位电平。

3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述半导体存储器装置还包括：

内部电路，该内部电路被配置为执行所述正常操作。

4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述内部电源生成电路还包括：

响应于所述使能信号而启用的镜像电路，该镜像电路被供应有所述第一外部电源电压，该镜像电路输出基于所述基准电压与所述反馈电压之间的电位电平差控制的所述内部电压；以及

电压切换电路，该电压切换电路被配置为响应于所述使能信号将所述第二外部电源电压切换为所述内部电源电压。

5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述使能信号在所述DPD模式下被启用，并且在所述正常操作中被禁用。

6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，在所述正常操作中，所述输出电路通过响应于所述内部电压将所述第一外部电源电压下转换来生成所述内部电源电压。

7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，在所述DPD模式下，所述输出电路切断施加到输出节点的所述第一外部电源电压，并且通过向所述输出节点供应所述第二外部电源电压来输出所述第二外部电源电压作为所述内部电源电压。

8.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，所述镜像电路、所述输出电路和所述反馈电压生成电路在所述DPD模式下被禁用。

9.根据权利要求1所述的存储器系统，该存储器系统还包括基准电压生成电路，该基准电压生成电路被配置为在所述正常操作中使用所述第一外部电源电压生成所述基准电压。

10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，所述基准电压生成电路响应于在所述DPD模式下被启用的使能信号而被禁用。