[发明专利]一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统在审
申请号: | 201810431492.8 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN110455412A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 张晶;曹奇志;胡宝清;邓婷;李建映;徐艳华;樊东鑫;王华华 | 申请(专利权)人: | 广西师范学院 |
主分类号: | G01J4/00 | 分类号: | G01J4/00 |
代理公司: | 50216 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 蓝文苑<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 530001广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏振调制模块 萨瓦偏光镜 改进型 矩阵成像 准直透镜 成像镜 光学图像信息 图像获取装置 双折射晶体 测偏系统 高透射率 光谱选择 获取目标 矩阵图像 偏振光栅 检偏器 起偏器 萨瓦板 消光比 一次性 光源 采集 | ||
1.一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,包括光源(1),所述光源(1)发射光线一侧依次设置有第一准直透镜(2)、第一成像镜(4)、第二准直透镜(5)、第二成像镜(7)和图像获取装置(8),其特征在于:所述第一准直透镜(2)和第一成像镜(4)之间设置有第一偏振调制模块(3),所述第二准直透镜(5)和第二成像镜(7)之间设置有第二偏振调制模块(6),所述光源(1)、第一准直透镜(2)、第一成像镜(4)、第二准直透镜(5)、第二成像镜(7)、图像获取装置(8)的中心点与所述第一偏振调制模块(3)、第二偏振调制模块(6)的中心点均位于同一直线上;
所述第一准直透镜(2)与所述光源(1)的距离为第一准直透镜(2)的焦距f,所述第一成像镜(4)与所述第二准直透镜(5)的距离为第二准直透镜(5)焦距f的两倍2f,所述第二成像镜(7)与所述图像获取装置(8)的距离为第二成像镜(7)的焦距f。
2.根据权利要求1所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第一偏振调制模块(3)包括两块相同且重叠设置的改进型萨瓦偏光镜Ⅰ,分别为第一改进型萨瓦偏光镜Ⅰ(11a)和第二改进型萨瓦偏光镜Ⅰ(11b),所述第一改进型萨瓦偏光镜Ⅰ(11a)的出光面和第二改进型萨瓦偏光镜Ⅰ(11b)的进光面之间设置有第一半波片(12),所述第一改进型萨瓦偏光镜Ⅰ(11a)的进光面还设置有起偏器(10)。
3.根据权利要求1所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第二偏振调制模块(6)包括两块相同且重叠设置的改进型萨瓦偏光镜Ⅱ,分别为第一改进型萨瓦偏光镜Ⅱ(14a)和第二改进型萨瓦偏光镜Ⅱ(14b),所述第一改进型萨瓦偏光镜Ⅱ(14a)的出光面和第二改进型萨瓦偏光镜Ⅱ(14b)的进光面之间设置有第一半坡片(12),所述第二改进型萨瓦偏光镜Ⅱ(14b)的出光面还设置有检偏器(15)。
4.根据权利要求2所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述改进型萨瓦偏光镜Ⅰ包括重叠布置的第一萨瓦板(16)和第二萨瓦板(17),所述第一萨瓦板(16)和第二萨瓦板(17)之间设置有第二半波片(13),所述第一萨瓦板(16)和第二萨瓦板(17)厚度相等,所述第一萨瓦板(16)光轴和第二萨瓦板(17)光轴位于同一平面内,以第二半波片(13)为对称轴,呈对轴分布且两者夹角为90°。
5.根据权利要求3所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述改进型萨瓦偏光镜Ⅱ包括重叠布置的第三萨瓦板(18)和第四萨瓦板(19),所述第三萨瓦板(18)和第四萨瓦板(19)之间设置有第三半波片(20),所述第三萨瓦板(18)和第四萨瓦板(19)厚度相等且为第一萨瓦板(16)厚度的2倍,所述第三萨瓦板(18)光轴和第四萨瓦板(19)光轴位于同一平面内,以第三半波片(20)为对称轴,呈对轴分布且两者夹角为90°。
6.根据权利要求2或3所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第一半坡片(12)的偏振方向角为22.5°。
7.根据权利要求4所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第二半波片(13)的偏振方向角为45°。
8.根据权利要求5所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第三半坡片(20)的偏振方向角为45°。
9.根据权利要求2或3所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述起偏器(10)和检偏器(15)的透振方向角为45°。
10.根据权利要求1所述的一种双折射晶体快拍穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第一准直透镜(2)、第一成像镜(4)、第二准直透镜(5)、第二成像镜(7)均为焦距相同的凸透镜。
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