[发明专利]一种集成电路芯片的金凸块制造工艺

权利要求书

1.一种集成电路芯片的金凸块制造工艺，包括如下步骤：

第一步，溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；所述金属膜为底层钛钨膜和上层的金膜；

第二步，光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15-40微米的光阻；

第三步，曝光：用曝光机，对需要生长金凸块位置的光阻使用波长为405-436纳米的光进行照射10-150秒，使之发生光溶解反应；

第四步，显影：用显影机和显影液，通过浸泡产生化学反应，去除掉曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；所述显影液的质量含量为2.3-2.4%的四甲基氢氧化铵水溶液；

第五步，电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10-15微米高度的金凸块；

第六步，光阻去除并对集成电路芯片及金凸块表面进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层之后，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理；具体过程细分为如下过程：电浆处理→第一次金蚀刻→光阻去除→电浆处理→第二次金蚀刻；

第七步，钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜，本步钛钨蚀刻的作用是去除金凸块两侧溅镀的钛钨膜。

2.根据权利要求1所述的集成电路芯片的金凸块制造工艺，其特征在于，所述金蚀刻时所用的金蚀刻成分及工艺为：碘化钾质量含量10%-25%，碘质量含量5%-10%，其余为水，金蚀刻液温度为22-26℃；单次蚀刻时间为40-50秒。