[发明专利]光刻胶涂覆设备在审

专利信息
申请号: 201810431772.9 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN108646516A 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 睿力集成电路有限公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16;H01L21/033
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 供给管路 供给源 阻挡剂 光刻胶涂覆设备 晶圆承载台 光刻胶 光刻胶喷嘴 喷嘴 晶圆 连通 衬底边缘区域 光刻胶喷涂 边缘区域 光刻胶层 后续工艺 喷涂系统 图形化 阻挡层 衬底 曝光
【权利要求书】:

1.一种光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述光刻胶涂覆设备包括:

晶圆承载台,适于放置晶圆衬底,并带动所述晶圆衬底转动;

光刻胶喷涂系统,包括光刻胶供给源;第一供给管路,一端与所述光刻胶供给源相连通;光刻胶喷嘴,位于所述晶圆承载台中心的上方,且与所述第一供给管路远离所述光刻胶供给源的一端相连通,适于向所述晶圆衬底的表面中心喷涂光刻胶;及,

阻挡层喷涂系统,包括阻挡剂供给源;第二供给管路,一端与所述曝光阻挡剂供给源相连通;阻挡剂喷嘴,位于所述晶圆承载台的上方,且与所述第二供给管路远离所述阻挡剂供给源的一端相连通,适于向所述晶圆衬底的晶圆边缘区域喷涂阻挡层。

2.根据权利要求1所述的光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述光刻胶喷嘴喷涂的所述光刻胶于所述晶圆衬底的上表面形成包括位于所述晶圆衬底的所述芯片区域上的第一部位及位于所述晶圆衬底的所述晶圆边缘区域上的第二部位的光刻胶层;所述阻挡剂喷嘴喷涂的所述阻挡层形成覆盖于所述光刻胶层的所述第一部位的环形阻挡层,所述环形阻挡层的开孔显露出所述光刻胶层的所述第一部位。

3.根据权利要求2所述的光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述环形阻挡层的宽度与所述晶圆衬底的晶圆边缘区域的宽度相同。

4.根据权利要求3所述的光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述环形阻挡层的宽度为0.5mm~5mm。

5.根据权利要求1所述的光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述光刻胶供给源包括紫外光光刻胶供给源、深紫外光刻胶供给源、电子束光刻胶供给源、离子束光刻胶供给源及X射线光刻胶供给源构成的群组之一;所述阻挡剂供给源包括紫外光阻挡剂供给源、深紫外光阻挡剂供给源、电子束阻挡剂供给源、离子束阻挡剂供给源及X射线阻挡剂供给源构成的群组之一。

6.根据权利要求1所述的光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述阻挡剂喷嘴位于所述晶圆衬底的晶圆边缘区域的上方。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述晶圆承载台包括:吸盘,用于放置所述晶圆衬底;及,

支撑驱动轴,一端与所述吸盘的底部相连接,另一端与一驱动马达相连接,用于在所述驱动马达的驱动下带动所述吸盘转动。

8.根据权利要求7所述的光刻胶涂覆设备,其特征在于,所述吸盘包括静电吸盘及真空吸盘构成的群组之一。

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