[发明专利]一种超光谱穆勒矩阵成像测偏系统在审

专利信息
申请号: 201810432051.X 申请日: 2018-05-08
公开(公告)号: CN110455409A 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 曹奇志;张晶;胡宝清;李建映;邓婷;王华华;樊东鑫 申请(专利权)人: 广西师范学院
主分类号: G01J3/28 分类号: G01J3/28;G01J3/447
代理公司: 50216 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 蓝文苑<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 530001广西壮族自*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 偏振调制模块 萨瓦偏光镜 测偏系统 准直透镜 成像镜 光学图像信息 图像获取装置 外部环境因素 矩阵 获取目标 介电常数 矩阵成像 矩阵图像 目标物体 强度图像 扫描光源 组织结构 超光谱 传统的 检偏器 精准度 起偏器 一次性 采集
【权利要求书】:

1.一种超光谱穆勒矩阵成像测偏系统,包括由前到后,依次设置的第一准直透镜(2)、第一成像镜(4)、第二准直透镜(5)、第二成像镜(7)和图像获取装置(8),其特征在于:所述第一准直透镜(2)入射光一侧设置有扫描光源(1),所述第一准直透镜(2)和所述第一成像镜(4)之间设置有第一偏振调制模块(3),所述第二准直透镜(5)和所述第二成像镜(7)之间设置有第二偏振调制模块(6),所述扫描光源(1)、第一准直透镜(2)、第一成像镜(4)、第二准直透镜(5)、第二成像镜(7)、图像获取装置(8)的中心点与所述第一偏振调制模块(3)、第二偏振调制模块(6)的中心点均位于同一直线L上;

所述第一准直透镜(2)与所述扫描光源(1)的距离为第一准直透镜(2)的焦距f1,所述第一成像镜(4)与所述第二准直透镜(5)的距离为第二准直透镜(5)焦距f2的两倍2f2,所述第二成像镜(7)与所述图像获取装置(8)的距离为第二成像镜(7)的焦距f3

2.根据权利要求1所述的一种超光谱穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第一偏振调制模块(3)包括第一萨瓦偏光镜(11a)和第二萨瓦偏光镜(11b),所述第一萨瓦偏光镜(11a)的出光面和第二萨瓦偏光镜(11b)的进光面之间设置有第一半波片(12a),所述第一萨瓦偏光镜(11a)的进光面还设置有起偏器(10)。

3.根据权利要求1所述的一种超光谱穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第二偏振调制模块(6)包括第三萨瓦偏光镜(14a)和第四萨瓦偏光镜(14b),所述第三萨瓦偏光镜(14a)的出光面和第四萨瓦偏光镜(14b)的进光面之间设置有第二半坡片(12b),所述第四萨瓦偏光镜(14b)的出光面还设置有检偏器(15)。

4.根据权利要求2所述的一种超光谱穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第一萨瓦偏光镜(11a)包括重叠设置的第一萨瓦板(13)和第二萨瓦板(18a),所述萨瓦板光轴位置由纵轴X轴、横轴Y轴以及系统光轴Z轴来确定,所述系统光轴Z轴与所述直线L平行且光线传播方向为Z轴正向,所述纵轴X轴与所述直线L竖直垂直且向上为X轴正向,所述横轴Y轴与所述直线L水平垂直且光线传播方向右侧为Y轴正向,所述第一萨瓦板(13)光轴在XZ平面且与X轴正向、系统光轴Z轴正向成45°,所述第二萨瓦板(18a)光轴在YZ平面且与系统光轴Z轴正向、Y轴负向成45°;

所述第二萨瓦偏光镜(11b)包括重叠设置的第三萨瓦板(16)和第四萨瓦板(18b),所述第三萨瓦板(16)光轴在XZ平面且与X轴正向、系统光轴Z轴负向成45°,所述第四萨瓦板(18b)光轴与所述第二萨瓦板(18a)光轴相同,所述第一萨瓦板(13)、第二萨瓦板(18a)、第三萨瓦板(16)、第四萨瓦板(18b)厚度相同。

5.根据权利要求3所述的一种超光谱穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第三萨瓦偏光镜(14a)包括重叠设置的第五萨瓦板(20)和第六萨瓦板(19a),所述萨瓦板光轴位置由纵轴X轴、横轴Y轴以及系统光轴Z轴来确定,所述系统光轴Z轴与所述直线L平行且光线传播方向为Z轴正向,所述纵轴X轴与所述直线L竖直垂直且向上为X轴正向,所述横轴Y轴与所述直线L水平垂直且光线传播方向右侧为Y轴正向,所述第五萨瓦板(20)光轴在XZ平面且与X轴正向、系统光轴Z轴正向成45°,所述第六萨瓦板(19a)光轴在YZ平面且与系统光轴Z轴正向、Y轴负向成45°;

所述第四萨瓦偏光镜(14b)包括重叠设置的第七萨瓦板(21)和第八萨瓦板(19b),所述第七萨瓦板(21)在XZ平面且与X轴正向、系统光轴Z轴负向成45°,所述第八萨瓦板(19b)光轴和所述第六萨瓦板(19a)光轴相同,所述第五萨瓦板(20)、第六萨瓦板(19a)、第七萨瓦板(21)、第八萨瓦板(19b)厚度相同。

6.根据权利要求4或5所述的一种超光谱穆勒矩阵成像测偏系统,其特征在于:所述第五萨瓦板(20)厚度为第一萨瓦板(13)厚度的两倍。

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