[发明专利]一种内嵌反射镜的二维材料光电探测器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种内嵌反射镜的二维材料光电探测器，其特征在于，所述二维材料光电探测器自下而上依次包括衬底、金属反射镜、介质层、二维材料和源漏电极。

2.根据权利要求1所述内嵌反射镜的二维材料光电探测器，其特征在于，所述衬底为硅或锗，所述金属反射镜为银或铝，所述介质层为二氧化锆或二氧化铪，所述二维材料为黑磷、蓝磷或硫化铟，所述源漏电极为铜、钛或金。

3.根据权利要求1或2所述的内嵌反射镜的二维材料光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1.先在衬底上镀一层高反射率的金属，形成金属反射镜；

S2.在金属反射镜上镀介质层；

S3.采用化学气相沉积方法或微机械剥离法，将二维材料转移到介质层上面；

S4.在二维材料上镀源漏电极，即形成内嵌反射镜的二维材料光电探测器。

4.权利要求1或2所述的内嵌反射镜的二维材料光电探测器在微纳光电子技术领域中的应用。