[发明专利]外延结构、发光二极管和外延结构的制作方法

权利要求书

1.一种外延结构，其特征在于，所述外延结构的多量子阱层包括量子阱层和第一量子垒层，所述第一量子垒层形成在所述量子阱层的上表面；

所述第一量子垒层为包括氮化镓铟和氮化镓的超晶格层，所述量子阱层中的铟元素的占比大于所述第一量子垒层中的铟元素的占比；

所述多量子阱层还包括第二量子垒层，所述第二量子垒层形成在所述第一量子垒层的上表面；

所述第二量子垒层为包括铝铟氮层和氮化镓层的超晶格层。

2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述第一量子垒层自下往上包括M层第一超晶格层；每个所述第一超晶格层包括氮化镓铟层和氮化镓层；2≤M≤6。

3.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述氮化镓铟层的厚度为0.15nm～0.25nm，所述氮化镓层的厚度为0.15nm～0.25nm。

4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述第二量子垒层自下往上包括N层第二超晶格层，每个所述第二超晶格层包括铝铟氮层和氮化镓层；5≤N≤15。

5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述铝铟氮层的厚度为0.08nm～0.12nm，所述氮化镓层的厚度为0.08nm～0.12nm。

6.根据权利要求4或5所述的外延结构，其特征在于，所述铝铟氮层中铝元素和铟元素的配比为0.82:0.18。

7.根据权利要求4或5所述的外延结构，其特征在于，所述多量子阱层还包括形成在所述第二量子垒层的上表面的第三量子垒层，所述第三量子垒层为包括硅元素的氮化镓层。

8.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的外延结构。

9.一种外延结构的制作方法，其特征在于，包括：

在750-830℃的温度环境下，在所述外延结构的应力释放层的上表面沉积生成量子阱层；

在870-930℃的温度环境下，在所述量子阱层的上表面沉积生成第一量子垒层；所述第一量子垒层为包括氮化镓铟和氮化镓的超晶格层，所述量子阱层中的铟元素的占比大于所述第一量子垒层中的铟元素的占比；

在870-930℃的温度环境下，在所述第一量子垒层的上表面沉积生成第二量子垒层；其中，所述第二量子垒层为包括铝铟氮和氮化镓的超晶格层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在870-930℃的温度环境下，在所述量子阱层的上表面沉积生成第一量子垒层，包括：

在870-930℃的温度环境下，自下往上生成N层第一超晶格层；每个所述第一超晶格层包括氮化镓铟层和氮化镓层，且在生成过程中，所述氮化镓铟层中从下往上铟元素的占比从20％递减至0％。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述氮化镓铟层的厚度为0.15nm～0.25nm，所述氮化镓层的厚度为0.15nm～0.25nm。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在870-930℃的温度环境下，在所述第一量子垒层的上表面沉积生成第二量子垒层，包括:

在870-930℃的温度环境下，自下往上生成M层第二超晶格层，每个所述第二超晶格层包括铝铟氮层和掺硅的氮化镓层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述铝铟氮层的厚度为0.08nm～0.12nm，所述掺硅的氮化镓层的厚度为0.08nm～0.12nm。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述铝铟氮层中铝元素和铟元素的配比为0.82:0.18。