[发明专利]一种非晶氧化钴纳米片的制备方法及应用有效
申请号: | 201810433091.6 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN108439488B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 杨国伟;林昭勇;李伟佳 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C01G51/04 | 分类号: | C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 冯炳辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 氧化钴 纳米片 非晶 光催化 有效地 应用 等离子体羽辉 脉冲激光烧蚀 纳米光催化剂 纳米片状材料 氧化钴微粒 不稳定性 常温常压 非晶材料 光催化剂 内部压力 有效控制 制备过程 不规则 简易 表现 | ||
1.一种非晶氧化钴纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将晶体氧化钴微粒粉末置于反应容器中,往其中注入纯水,搅拌使粉末均匀分散;
2)调节纳秒脉冲激光光路,将光束聚焦至反应容器中,使得固液界面产生等离子体羽辉,在等离子体羽辉内部产生一个压力,并利用此压力促进片状结构的产生;
3)调节激光脉冲能量,使得等离子体羽辉内部温度达到促进非晶结构的产生;
4)反应结束后取出完全溶液,干燥后得到所需的非晶氧化钴纳米片。
2.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钴纳米片的制备方法,其特征在于:在步骤1)中,所述晶体氧化钴微粒粉末为不规则的微米级别的氧化钴晶体,纯度为99.99%。
3.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钴纳米片的制备方法,其特征在于:在步骤2)中,激光聚焦点位于反应容器中液面最高位以下1.5cm处,光斑半径为1.0mm。
4.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钴纳米片的制备方法,其特征在于:在步骤3)中,激光波长为532nm,单脉冲能量为500mJ,单脉冲宽度为10ns,脉冲重复频率为10Hz,液相脉冲激光烧蚀的反应时间为120min。
5.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钴纳米片的制备方法,其特征在于:在步骤4)中,制得的非晶氧化钴纳米片的原子排列方式为长程无序短程有序的非晶态,其厚度分布范围为1.8nm至3.6nm,平均厚度为2.151nm。
6.一种权利要求1所述方法制得的非晶氧化钴纳米片的应用,其特征在于:为非晶氧化钴纳米片作为光催化全解水催化剂的应用,能够在太阳光照射下,直接将纯水按照2:1的物质的量比分解成氢气和氧气,使用寿命达120小时。
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