[发明专利]测试基板及其制备方法、检测方法、显示基板、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种测试基板及其制备方法、检测方法、显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，可改善现有技术中因总电容过大，影响模拟时源极充放电速度的问题，还可提高仿真结果的准确性。一种测试基板，包括衬底，包括依次设置在衬底上的第一电极层、像素界定层、发光功能层、以及第二电极层；其中，像素界定层用于界定出多个开口区，第一电极层包括多个第一电极；每个第一电极和第二电极层在衬底上的投影重叠的区域为一个测试单元所在的区域；每个测试单元中，像素界定层与发光功能层在衬底上的投影重叠的区域为第一区域；在至少两个测试单元中，第一电极位于第一区域的部分的面积不同。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种测试基板及其制备方法、检测方法、显示基板、显示装置。

背景技术

近年来，由于有机发光二极管(organic light emitting diode，简称OLED)具有自发光、广视角、短反应、高发光效率、广色域、低工作电压等优点，成为国内外非常热门的新兴平面显示器。

然而，由于OLED电容的大小对驱动晶体管(Thin Film Transistor，简称DriveTFT)的源极电压的变化有很重要的作用，OLED电容越大，源极电压充防电越慢。

目前，直接通过OLED寿命测试单元(life time cell，简称LTC)测量的OLED电容包含很大一部分寄生电容，直接利用OLED LTC测量的OLED电容建立模拟(model)时，源极的充放电较慢，尤其是在大面积面板(panel)仿真的情况下，仿真结果的误差较大。

因此，需要寻找一种提取OLED寄生电容的方法，来提高仿真结果的准确性。

发明内容

本发明的实施例提供一种测试基板及其制备方法、检测方法、显示基板、显示装置，可改善现有技术中因总电容过大，影响模拟时源极充放电速度的问题，提高仿真结果的准确性。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种测试基板，包括衬底，包括依次设置在所述衬底上的第一电极层、像素界定层、发光功能层、以及第二电极层；其中，所述像素界定层用于界定出多个开口区，所述第一电极层包括多个所述第一电极；每个所述第一电极和所述第二电极层在所述衬底上的投影重叠的区域为一个测试单元所在的区域；每个所述测试单元中，所述像素界定层与所述发光功能层在所述衬底上的投影重叠的区域为第一区域；在至少两个所述测试单元中，所述第一电极位于所述第一区域的部分的面积不同。

优选的，每个所述测试单元所在的区域还包括位于所述第一区域远离所述开口区的第二区域；所述像素界定层还包括位于第二区域的部分。

优选的，所述测试基板还包括挡墙，所述挡墙位于所述像素界定层和所述第一电极层远离所述衬底的一侧；所述发光功能层位于交叉设置的所述挡墙围成的区域内。

进一步优选的，每个所述测试单元所在的区域还包括第三区域，在所述第三区域，所述像素界定层与所述挡墙在所述衬底上的投影重叠。

优选的，在至少两个所述测试单元中，所述第一电极位于所述第一区域的部分包括不同个数的通孔；其中，所有所述通孔的形状及大小均相同。

第二方面，提供一种显示基板，包括第一方面所述的测试基板。

第三方面，提供一种显示装置，包括第二方面所述的显示基板。

第四方面，提供一种测试方法，用于检测如第一方面所述的测试基板的电容，包括：对第一电极位于第一区域的部分的面积不同的至少两个测试单元进行检测；测量每个第一电极位于所述测试单元的部分与第二电极层位于该测试单元的部分之间的总电容；根据至少两个所述测试单元的所述总电容、及至少两个测试单元中所述第一电极位于第一区域的面积，确定所述第一区域的单位面积的电容。