[发明专利]碳化硅晶须补强增韧的碳化硅陶瓷中空纤维膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810433285.6 申请日: 2018-05-08
公开(公告)号: CN108686524A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 徐慢;朱丽;沈凡;王树林;许晨希;许政威;田诗瑶;曹宏;陈常连;季家友;石和彬;戴武斌;薛俊 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02;B01D67/00;B01D69/02;B01D69/08
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明;闭钊
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅晶须 中空纤维膜 碳化硅陶瓷 补强 增韧 制备 高温烧结技术 非对称结构 抗热震性能 碳化硅粉体 分离领域 渗透通量 增韧补强 铸膜浆料 吡咯烷酮 高温气 聚醚砜 自支撑 装填 拔出 纺丝 桥连 球磨 生坯 挤出 转化
【权利要求书】:

1.碳化硅晶须补强增韧的碳化硅陶瓷中空纤维膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(a)将聚醚砜、N-甲基-吡咯烷酮、碳化硅晶须、碳化硅粉体混合,球磨均匀得到铸膜浆料;

(b)将铸膜浆料加入到纺丝装置中抽真空除气泡,再加入内胶凝剂后加压挤出纺丝,所得纤维湿膜经外凝固浴处理,得到纤维膜生坯;

(c)将纤维膜生坯烧结,得到碳化硅晶须补强增韧的碳化硅陶瓷中空纤维膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:铸膜浆料中聚醚砜的质量分数为5%-10%,N-甲基-吡咯烷酮的质量分数为35%-40%,碳化硅粉体的质量分数为30%-60%,余量为碳化硅晶须。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:所述碳化硅粉体为β晶型,粒径<50μm。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:所述碳化硅晶须为β晶型,直径<2μm,长度<20μm。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:所述聚醚砜的粘数为48mL/g-60mL/g。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:球磨时间为2-10h,真空除泡时间为0.5-2h,加压挤出所使用的氮气压力为0.1-0.6bar,挤出所得纤维湿膜经0-20cm的干纺程后进入外凝固浴处理12-36h。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述内胶凝剂选自水、乙醇、N-甲基-吡咯烷酮中的一种,外凝固浴溶液选自水、乙醇、N-甲基-吡咯烷酮中的一种。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:纤维膜生坯首先在600-700℃的空气氛中烧结除去有机物,然后在1800-2200℃的惰性气氛中烧结。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于:纤维膜生坯的烧结过程具体为:待纤维膜生坯自然干燥后,将其置于空气气氛中以5-10℃/min的升温速率从常温升至600-700℃保温1-3h,取出待其自然冷却至室温后将其置于氩气气氛中,以5-10℃/min的升温速率升至1800-2200℃并保温0.5-5h,最后自然冷却至室温。

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