[发明专利]显示面板、制备方法及应用该显示面板的电子装置

说明书

一种显示面板，包括μLED阵列基板、上基板、遮光部以及色彩转换层，所述μLED阵列基板与上基板相对设置，所述μLED阵列基板上设置有多个呈阵列排布且彼此间隔设置的μLED，所述遮光部位于μLED阵列基板与上基板之间且其两侧分别与μLED阵列基板及上基板接触，遮光部对应每一μLED的位置形成有贯穿遮光部的所述两侧的容置孔，使每一μLED容置于一容置孔中，所述遮光部不透光，所述色彩转换层设置于所述上基板朝向μLED阵列基板的表面，色彩转换层包括多个色彩转换单元，每个色彩转换单元位于一容置孔内，且位于同一容置孔中的μLED与色彩转换单元间隔设置，所述色彩转换层含有量子点材料。本发明还提供该显示面板的制备方法及应用该显示面板的电子装置。

技术领域

本发明涉及一种显示面板、该显示面板的制备方法及应用该显示面板的电子装置。

背景技术

微发光二极管(Micro-LED或μLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的μLED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，μLED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器一样属于自发光显示器，但μLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点。本文所述的μLED一般是指尺寸小于200微米的LED。

μLED显示器目前有两种主要结构，一种为在有源矩阵背板上通过巨量移转(masstransfer)红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)μLED，通过红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)μLED直接获得全彩效果；另一种结构为在有源矩阵背板上形成单色(通常为蓝色)μLED，同时设置色彩转换层将蓝光转换得到全彩效果。对于第一种结构，由于巨量移转技术难度大，导致该结构的使用受到一定限制。针对单色μLED与色彩转换层配合的结构，一种现有的色彩转换层是采用荧光粉与粘胶混合，而荧光粉与胶混合的技术方案，由于荧光粉致密度不足且位置散布不均，其光学均匀度与可靠度都不理想。荧光粉常用尺寸为5～15um，无法应用于高分辨率显示器，仅能用于背光模块或低分辨率的显示器。

另一种色彩转换层是利用量子点进行色彩转换。量子点，又称纳米晶，一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由IIB～ⅥA或IIIA～VA元素组成)制成的、直径2～20nm的纳米粒子。量子点的激发光谱宽且连续分布，并且量子点的发射光谱窄而对称，颜色可调，光化学稳定性高。量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，并且光谱覆盖整个可见光区域。利用量子点作为色彩转换层时是将量子点材料的粉末喷涂于μLED外表面，量子点材料与μLED直接接触，μLED发出的热量直接传递至量子点材料，致使量子点材料因高温光而变质，进而使显示面板的显示质量下降。量子点材料不仅会因高温而被破坏，还会因水、氧的腐蚀而被破坏。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种显示面板，显示面板具有较高的使用寿命。

另，还提供一种该显示面板的制备方法及一种应用该显示面板的电子装置。

一种显示面板，包括μLED阵列基板、上基板、遮光部以及色彩转换层，所述μLED阵列基板与所述上基板相对设置，所述μLED阵列基板上设置有多个呈阵列排布且彼此间隔设置的μLED，所述遮光部位于μLED阵列基板与上基板之间且其两侧分别与μLED阵列基板及上基板接触，遮光部对应每一μLED的位置形成有贯穿遮光部的所述两侧的容置孔，使每一μLED容置于一容置孔中，所述遮光部不透光，所述色彩转换层设置于所述上基板朝向μLED阵列基板的表面，色彩转换层包括多个色彩转换单元，每个色彩转换单元位于一容置孔内，且位于同一容置孔中的μLED与色彩转换单元间隔设置，所述色彩转换层含有量子点材料。

一种显示面板的制备方法，包括：

提供一透光的上基板，在上基板表面形成遮光部，该遮光部由不透光材料形成，该遮光部形成有多个贯穿该遮光部的容置孔；