[发明专利]一种带隙基准电压二阶补偿电路

说明书

本发明涉及一种带隙基准电压二阶补偿电路，属于集成电路设计领域，该补偿电路包括运算放大器OP1，双极晶体管Q1～Q4，电阻R1～R7；运算放大器OP1的正向输入端连接双极晶体管Q3的集电极，运算放大器OP1的反向输入端连接双极晶体管Q2的集电极，运算放大器OP1的输出端连接双极晶体管Q1的基极；双极晶体管Q1的集电极连接电源VDD，发射极分别通过电阻R1、电阻R2连接至运算放大器OP1的反向输入端和正向输入端；双极晶体管Q1的发射极还连接至双极晶体管Q4的基极；双极晶体管Q2的发射极通过电阻R4和电阻R5串联接地，双极晶体管Q3的发射极通过电阻R5接地；双极晶体管Q4的发射极经过电阻R7接地。本发明电路结构简单、设计复杂度低且成本低。

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，涉及一种带隙基准电压二阶补偿电路。

背景技术

电压基准电路是集成电路的基础模块，为集成电路中其他模块提供基准电压。带隙基准电路因其高精度、高稳定性等优点，成为使用最广泛的一种电压基准电路。

传统带隙基准电路采用一阶补偿的方式，其输出电压能够达到20～100ppm/℃的温度系数，如果要进一步降低温度系数，那么必须考虑进行二阶补偿。现有的一种二阶补偿电路原理为在传统带隙基准电路的基础上增加非线性修正项。这就要先产生一个非线性的电流I_NL，如图1所示，该电流的产生比较复杂，需要使用较多的器件，占用较大的芯片面积。此外，较多的电流支路也增加了电路的功耗。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种带隙基准电压二阶补偿电路，精简电路结构、降低功耗。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种带隙基准电压二阶补偿电路，该补偿电路包括运算放大器OP1，双极晶体管Q1～Q4，电阻R1～R7；

所述运算放大器OP1的正向输入端连接双极晶体管Q3的集电极，运算放大器OP1的反向输入端连接双极晶体管Q2的集电极，运算放大器OP1的输出端连接双极晶体管Q1的基极；

双极晶体管Q1的集电极连接电源VDD，发射极分别通过电阻R1、电阻R2连接至运算放大器OP1的反向输入端和正向输入端；

双极晶体管Q1的发射极还通过电阻R3和电阻R6接地，所述双极晶体管Q2和双极晶体管Q3的基极相互连接后连接至电阻R3和电阻R6之间，所述双极晶体管Q1的发射极还连接至双极晶体管Q4的基极；

所述双极晶体管Q2的发射极通过电阻R4和电阻R5串联接地，所述双极晶体管Q3的发射极通过电阻R5接地；

所述双极晶体管Q4的发射极经过电阻R7接地。

进一步，还包含双极晶体管Q5，MOS管M1、M2、M7，电阻R8、电阻R9和反相器I1、I2；

双极晶体管Q4的集电极连接MOS管M1的栅极和漏极以及MOS管M2的栅极；MOS管M1、MOS管M2的源极均连接到电源VDD；

MOS管M2的漏极通过电阻R8和电阻R9串联接地，MOS管M2的漏极还连接到双极晶体管Q5的基极；

双极晶体管Q5的发射极接地，基极连接至所述MOS管M2的漏极，双极晶体管Q5的集电极连接至所述反相器I1的输入端；

所述反相器I1的输出端连接至反相器I2的输入端，所述反相器I2的输出端连接至MOS管M7的栅极，MOS管M7的源极接地，漏极通过电阻R9接地。

进一步，还包括MOS管M3，M4，M5，M6；