[发明专利]TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积并图案化形成第一金属线(11)，在所述第一金属线(11)与衬底基板(10)上沉积形成间隔层(15)；

步骤S2、在所述间隔层(15)上沉积第二金属层(20)，在所述第二金属层(20)上涂覆光阻层(80)，提供第二光罩(90)，所述第二光罩(90)具有第二金属线图案(95)，所述第二金属线图案(95)两侧外缘处设有狭缝(96)，利用所述第二光罩(90)对所述光阻层(80)进行曝光、显影，得到对应位于所述第一金属线(11)上方的光阻图案层(85)，所述光阻图案层(85)的两侧对应所述狭缝(96)形成凹槽(86)，且光阻图案层(85)两侧的厚度相对于中部的厚度减小；

步骤S3、以所述光阻图案层(85)为遮蔽层，对所述第二金属层(20)进行进行第一次湿法蚀刻；

步骤S4、对所述光阻图案层(85)进行干法蚀刻，减薄所述光阻图案层(85)；

步骤S5、以减薄后的光阻图案层(85)为遮蔽层，对所述第二金属层(20)进行进行第二次湿法蚀刻，去除光阻图案层(85)，得到对应位于所述第一金属线(11)上方的第二金属线(21)。

2.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属线图案(95)每侧外缘处设有两条平行间隔的狭缝(96)，所述第二金属线图案(95)包括遮光主线(951)以及在所述遮光主线(951)两侧由内向外依次设置的且与所述遮光主线(951)相平行的内遮光副线(952)和外遮光副线(953)；

所述狭缝(96)包括第一透光狭缝(961)和第二透光狭缝(962)，所述内遮光副线(952)与遮光主线(951)之间构成所述第一透光狭缝(961)，所述内遮光副线(952)与外遮光副线(953)之间构成所述第二透光狭缝(962)。

3.如权利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透光狭缝(961)、内遮光副线(952)、第二透光狭缝(962)及外遮光副线(953)的宽度分别为a、b、c、d，其中，0.5μm≤a≤1.5μm，0.5μm≤b≤1.5μm，0.5μm≤c≤1.5μm，0.5μm≤d≤1.5μm。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属线图案(95)的宽度为L2，L2≤7μm。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括提供第一光罩(40)，所述第一金属线(11)通过所述第一光罩(40)制作形成，所述第一光罩(40)具有用于对应形成第一金属线(11)的第一金属线图案(41)。

6.如权利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属线图案(41)的宽度为L1，L1≤9μm。

7.如权利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属线图案(41)的宽度为L1，所述第二金属线图案(95)的宽度为L2，L1-L2≤2μm。

8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中所提供的第二光罩(90)，其上的狭缝(96)通过在第二光罩(90)上挖空相应部分而形成。

9.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属线(11)和第二金属线(21)的材料均为钼、铝、铜、钛中的一种或多种的合金。

10.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述间隔层(15)为氧化硅层、氮化硅层或两者的组合。