[发明专利]一种运算放大器、运放电路及驱动芯片有效
申请号: | 201810433960.5 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN108631738B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 周述;李天望;谢磊;刘程斌 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/38;H03F1/56;G05B19/042 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 410100 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 运算放大器 电路 驱动 芯片 | ||
1.一种运算放大器,其特征在于,包括:
差分输入端,所述差分输入端包括第一输入端和第二输入端;
输入级,所述第一输入端和所述第二输入端均与所述输入级的输入端电连接;
输出级,所述输出级与所述输入级的输出端电连接,所述输出级设置有一功能电路,当输入正阶跃信号或负阶跃信号时,所述功能电路控制输出级的输出电流方向,减小运算放大器的输出电压,所述功能电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管电连接,所述功能电路对输出级电压进行控制。
2.根据权利要求1所述的运算放大器,其特征在于,所述第一晶体管为第一NMOS管,所述第二晶体管为第一PMOS管,所述输出级还包括第二NMOS管和第二PMOS管,所述第二NMOS管的源极接地,第二NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极电连接,第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极电连接;
所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极电连接,所述第一PMOS管的源极和所述第一NMOS管的源极电连接,所述第一NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的栅极电连接,所述第二PMOS管的源极连接电源信号。
3.根据权利要求2所述的运算放大器,其特征在于,所述第一PMOS管的源极和所述第一NMOS管的源极与输出级的输出端电连接,所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极与所述差分输入端电连接。
4.根据权利要求3所述的运算放大器,其特征在于,所述输出端连接一电容,所述电容的第一端连接所述输出端,所述电容的第二端接地。
5.根据权利要求4所述的运算放大器,其特征在于,所述功能电路还用于检测在阶跃响应时,运算放大器是否发生过冲。
6.根据权利要求5所述的运算放大器,其特征在于,
当输入信号为正阶跃信号且输入电压与输出电压的差值大于所述第一NMOS管的阈值电压时,所述第一NMOS管工作;
或者,
当输入信号为负阶跃信号且输出电压与输入电压的差值大于所述第一PMOS管的阈值电压时,所述第一PMOS管工作。
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