[发明专利]铌酸锂掺杂石英光纤在审
| 申请号： | 201810434976.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108594359A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王廷云;陈振宜;陈娜;庞拂飞;文建湘;刘书朋 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 石英光纤 掺杂 拉曼增益 内包层 掺铌 酸锂 光纤 拉曼光纤放大器 传统单模光纤 化学气相沉积 掺杂铌酸锂 拉曼放大器 高温气化 工艺技术 工艺制备 折射率差 制备工艺 批量化 匹配型 纤芯层 纤芯 制备 成熟 改进 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种铌酸锂掺杂石英光纤，在改进化学气相沉积（MCVD）制备工艺技术方法中增加铌酸锂高温气化沉积工艺制作而成，制备出的铌酸锂掺杂石英光纤结构为芯层（1）掺杂铌酸锂匹配型结构、内包层（2）掺杂铌酸锂结构、芯层（1）与内包层（2）同掺铌酸锂结构，具有高折射率差、低损耗和高拉曼增益系数的优点。
2.根据权利要求1所述铌酸锂掺杂石英光纤，其特征在于光纤结构是仅在纤芯掺杂铌酸锂的匹配型结构，或者是仅在内包层掺杂铌酸锂的内包层掺杂结构，或者是在纤芯与内包层同时掺杂铌酸锂的共掺结构。
3.根据权利要求1所述铌酸锂掺杂石英光纤，其特征在于折射率差不低于1.5%。
4.根据权利要求1所述铌酸锂掺杂石英光纤，其特征在于损耗低于5dB/km。
5.根据权利要求1所述铌酸锂掺杂石英光纤，其特征在于拉曼增益系数高于普通单模光纤2倍以上。
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