[发明专利]一种能够提高镀膜均匀性的方法及石墨载具在审
申请号: | 201810435159.4 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN108666242A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 韩晓辉;秦积海 | 申请(专利权)人: | 晋能清洁能源科技股份公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲华 |
地址: | 032100 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑架 石墨舟 太阳能晶硅电池片 镀膜均匀性 石墨 载具 膜层厚度均匀性 横向并列 膜层沉积 陶瓷支撑 有效控制 支撑固定 逐渐缩小 不均匀 沉积炉 对膜层 沉积 分隔 装载 支撑 表现 | ||
1.一种能够提高镀膜均匀性的方法,其特征在于:包括以下步骤:
a)将沉积炉中的石墨载具装载的太阳能电池载片由外侧向内侧依次编号太阳能电池载片编号C1、C2、C3……Cn;
b)C1与C2之间间距记作D1,C2与C3之间间距记作D2,……Cn-1与Cn之间间距记作Dn-1;
c)C1与C2之间陶瓷支撑套的长度记作H1,C2与C3之间陶瓷支撑套的长度记作H2,……Cn-1与Cn之间陶瓷支撑套的长度记作Hn-1;
d)等距离均匀设置沉积炉中的石墨载具,使得各石墨载具装载的太阳能电池载之间的间距相等,即各D1=D2=D3=……=Dn-1=H1=H2=H3=……=Hn-1;
e)应用给定工艺的相应工艺预热时间、总载片数量,进行镀膜;
f)镀膜完成后分别测量记录相邻石墨载具中太阳能电池载片之间的间距内所有膜层厚度的平均值,记作F1、F2、F3……Fn-1;
g)因电场强度特性,各石墨载具中太阳能电池载片温度变化不同,越靠近中间的石墨载具中太阳能电池载片载片的膜层厚度越薄,选择Fn/2相应的厚度数据值作为基准膜层厚度;
h)测量Fn/2相应的陶瓷支撑套长度Hn/2,作为基准陶瓷支撑套长度;
i)建立陶瓷支撑套长度H的调整数学模型,计算陶瓷支撑套长度H的修正补偿系数:
……以此类推;
其中K和M分别为修正补偿系数,与工艺预热时间、总载片数量有关;
获得各陶瓷支撑套长度h1、h2、h3……hn-1;
j)根据修正补偿系数制作不同h1、h2、h3……hn-1长度的陶瓷支撑套,使得各石墨载具中太阳能电池载片之间距离不相同,以调整各石墨载具中太阳能电池载片之间电场强度,使得各石墨载具中太阳能电池载片之间电场强度相等;
k)应用给定工艺的相应工艺预热时间、总载片数量,和不同h1、h2、h3……hn-1长度的陶瓷支撑套,进行镀膜,测量记录相邻石墨载具中太阳能电池载片之间的间距内所有膜层厚度的平均值f1、f2、f3……fn-1;
l)调整相应陶瓷支撑套长度h1、h2、h3……hn-1值,重复试验镀膜,直到f1=f2=f3……=fn-1。
2.根据权利要求1所述能够提高镀膜均匀性的方法,其特征在于:所述步骤e)中膜层厚度的平均值通过椭偏仪测量。
3.一种应用于权利要求1~2能够提高镀膜均匀性的石墨载具,包括沉积炉,沉积炉内设置有若干横向并列设置的能够装载太阳能晶硅电池片(1)的石墨舟,每片石墨舟通过支撑架支撑固定,相邻支撑架之间通过陶瓷支撑套(2)分隔支撑,其特征在于:所述每片支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)与相邻支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)之间距离不均匀,位于外侧的支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)之间距离大于位于内侧的支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)架之间距离。
4.根据权利要求3所述能够提高镀膜均匀性的石墨载具,其特征在于:所述位于外侧的第一根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)与第二根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)之间距离最大,位于内侧的最后一根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)与倒数第二根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)之间距离最小;外侧第一根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)与第二根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)之间距离至内侧最后一根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)与倒数第二根支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)之间距离依次缩小。
5.根据权利要求3所述能够提高镀膜均匀性的石墨载具,其特征在于:所述相邻支撑架上石墨舟中的太阳能晶硅电池片(1)之间距离变化由陶瓷支撑套(2)长度分隔支撑构成。
6.根据权利要求3所述能够提高镀膜均匀性的石墨载具,其特征在于:所述陶瓷支撑套(2)的长度变化系数为:
……以此类推。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造