[发明专利]一种点焊电极用纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化铜基复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810435444.6 申请日: 2018-05-09
公开(公告)号: CN108611515B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 张梦贤;霍颜秋;赵先锐;王天乐;方一航;姚海龙;王洪涛;陈清宇;白小波 申请(专利权)人: 台州学院;九江学院
主分类号: C22C1/10 分类号: C22C1/10;C22C1/02;C22C9/00
代理公司: 32207 南京知识律师事务所 代理人: 高桂珍
地址: 318000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 棒状 铜基复合材料 制备 弥散强化 硼化锆 碳化锆 点焊电极 复合粉体 自蔓延高温合成 真空熔炼炉 粉末压坯 焊接电极 冷压成型 生产效率 磁搅拌 混合物 纳米化 无氧铜 熔炼 放入 粉体 简易 施加 点燃
【权利要求书】:

1.一种点焊电极用纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化铜基复合材料的制备方法,其步骤包括:

步骤一、以Cu粉、Zr粉和B4C粉为原料制备含Cu的纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆陶瓷产物;

步骤二、将膨胀疏松含Cu的纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆产物研磨成粉体;

步骤三、将含Cu的纳米ZrC颗粒-ZrB2棒晶复合粉体和铜箔放入手套箱中,接着在惰性气体环境中用铜箔密封含Cu的纳米ZrC颗粒-ZrB2棒晶复合粉体;

步骤四、将无氧铜块与铜箔密封的含Cu的纳米ZrC-ZrB2复合粉体放入真空熔炼炉中,其中,铜箔密封的含Cu的纳米ZrC-ZrB2复合粉体放在无氧铜块下面;待抽取真空后,将熔炼炉加热至1200~1250℃,使无氧铜块熔化并覆盖在含Cu纳米ZrC-ZrB2粉体的表面;接着保温5~10min、并施加磁搅拌使纳米ZrC-ZrB2陶瓷均匀分布于Cu液内,时间为5-10min,最后浇铸到金属模具中得到纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化Cu基复合材料;

其中,步骤一的具体制备过程包含以下步骤:

步骤(1)、以Cu粉、Zr粉和B4C粉为原料,其中,Zr粉与B4C粉摩尔比值为3,Cu粉的添加量为40wt.%,所述B4C粉的粒径为14μm;

步骤(2)、将称量好的Cu粉、Zr粉、B4C粉,在惰性气体环境中用滚筒式球磨机混合10~14小时,得到Cu-Zr-B4C混合粉末;

步骤(3)、用液压机将混合后的Cu-Zr-B4C粉末冷压成相对密度为65±5%的压坯;

步骤(4)、将Cu-Zr-B4C粉末压坯放入自蔓延高温合成设备内,布置为惰性气体环境;

步骤(5)、通过钨电极产生的电弧快速引燃压坯底部的自蔓延高温合成反应,之后立即熄灭电弧,待燃烧波自发蔓延至整个压坯,即可得到膨胀疏松含Cu的纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆陶瓷的产物。

2.根据权利要求1所述的一种点焊电极用纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化铜基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述球磨机的磨球为ZrO2磨球,ZrO2磨球的直径为8mm,磨球与粉末的重量比为10:1,球磨机的转速为50~70转/分钟。

3.根据权利要求1所述的一种点焊电极用纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化铜基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,惰性气体环境的布置过程为:先将自蔓延高温合成设备抽真空至5~10Pa后;接着冲入Ar气至0.06~0.08MPa,反复抽气、充气三次;最后对设备冲入Ar气至常压。

4.根据权利要求1所述的一种点焊电极用纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化铜基复合材料的制备方法,其特征在于,所述Cu粉,其纯度>99%,平均粒径为0.5μm,所述Zr粉,其纯度>98%,粒径为45μm,所述B4C粉,其纯度>99%。

5.根据权利要求1所述的一种点焊电极用纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化铜基复合材料的制备方法,其特征在于,步骤四中,施加的磁搅拌电流为20-30A。

6.根据权利要求1所述的一种点焊电极用纳米粒状碳化锆-棒状硼化锆弥散强化铜基复合材料的制备方法,其特征在于,纳米粒状ZrC-棒状ZrB2弥散强化Cu基复合材料中,ZrC粒径<100nm,棒状ZrB2的直径<100nm,ZrC-ZrB2复合陶瓷的总含量为0.1wt.%~1.0wt.%,其余为Cu。

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