[发明专利]研磨盘和化学机械研磨装置有效

专利信息
申请号: 201810435796.1 申请日: 2018-05-07
公开(公告)号: CN110450046B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 王建雄;唐强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: B24B37/20 分类号: B24B37/20;B24B37/10;B24B37/34;B24B53/12
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 300385 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 研磨 化学 机械 装置
【权利要求书】:

1.一种研磨盘,其特征在于,包括:底座、结合层和多个研磨颗粒,所述结合层设置于所述底座上,所述研磨颗粒设置在所述结合层远离所述底座的研磨面上,所述研磨面包括结合平面、第一结合曲面和第二结合曲面,所述第一结合曲面和所述第二结合曲面的曲率不同,所述结合平面的边缘以向所述底座延伸的方式与所述第一结合曲面和所述第二结合曲面连接;所述第一结合曲面和所述第二结合曲面在所述结合平面向所述底座的一侧连接,所述第一结合曲面和第二结合曲面的连接处曲率连续;所述第一结合曲面与所述结合平面之间的夹角为32.6°至34.5°,所述第二结合曲面与所述结合平面之间的夹角为59.2°至62.5°;所述第一结合曲面的曲率随着第一结合曲面与所述结合平面之间的夹角的变化而变化,所述第二结合曲面的曲率随着第二结合曲面与所述结合平面之间的夹角的变化而变化。

2.如权利要求1所述的研磨盘,其特征在于,所述结合平面包括两个相连成圆形的半圆,两个所述半圆的边缘以向所述底座延伸的方式分别连接所述第一结合曲面和第二结合曲面。

3.如权利要求1所述的研磨盘,其特征在于,所述研磨颗粒的粒径介于120μm至150μm之间。

4.如权利要求1所述的研磨盘,其特征在于,在与所述结合平面平行的方向上,相邻的两个所述研磨颗粒之间的间距介于80μm至100μm之间。

5.如权利要求1所述的研磨盘,其特征在于,在与所述结合平面垂直的方向上,所述第一结合曲面和第二结合曲面上相邻的两个所述研磨颗粒之间的间距均介于80μm至100μm之间。

6.如权利要求1所述的研磨盘,其特征在于,在与所述结合平面平行的方向上,两个所述研磨颗粒之间的最大间距介于10cm至12cm之间。

7.如权利要求1所述的研磨盘,其特征在于,所述结合平面的最大尺寸介于9.5cm至10.5cm之间。

8.一种化学机械研磨装置,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的研磨盘。

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