[发明专利]微型化线路的制法及其制品

权利要求书

1.一种微型化线路的制法，其特征在于：依序包含：

步骤(a)，是于基板的表面上沉积由第一金属所构成的金属层；

步骤(b)，是于该金属层上形成具有线路图案的光阻层，该光阻层的线路图案是裸露出该金属层的一部分；

步骤(c)，是自裸露于该光阻层的线路图案外的该金属层的该部分上形成线路图案下层，该线路图案下层是由第二金属所构成，且是经实施电镀或化镀所完成；

步骤(d)，是于该线路图案下层上叠制线路图案上层，该线路图案上层是由有别于该第一金属的第三金属所构成，且是经实施电镀或化镀所完成；

步骤(e)，是移除该光阻层以裸露出该金属层的剩余部分；及

步骤(f)，是以蚀刻剂蚀刻该金属层的该剩余部分以令该金属层成为线路图案底层，并从而制得微型化线路；

其中，该蚀刻剂对该第一金属与该第三金属分别具有第一蚀刻速率(R1)与第二蚀刻速率(R2)，R1是远大于R2。

2.根据权利要求1所述的微型化线路的制法，其特征在于：R1/R2≥100。

3.根据权利要求2所述的微型化线路的制法，其特征在于：该第一金属是选自Cu或Au；该第二金属是选自Cu或Au；该第三金属是Ni；该蚀刻剂是硝酸铵铈水溶液。

4.根据权利要求3所述的微型化线路的制法，其特征在于：该第一金属与该第二金属皆是Cu；硝酸铵铈水溶液的浓度是介于5％至10％间。

5.根据权利要求4所述的微型化线路的制法，其特征在于：该线路图案底层具有厚度t0，该线路图案下层具有第一厚度t1，且t1/t0>1。

6.根据权利要求5所述的微型化线路的制法，其特征在于：t0介于100nm至200nm间，t1介于5μm至15μm间。

7.根据权利要求1至5任一权利要求所述的微型化线路的制法，其特征在于：该步骤(d)所叠制的线路图案上层还包覆该线路图案下层的周缘。

8.一种微型化线路，其特征在于：包含：

基板；

线路图案底层，形成于该基板的表面上，且是由第一金属所构成；

线路图案下层，叠置于该线路图案底层上，且是由第二金属所构成；及

线路图案上层，叠置于该线路图案下层上，且是由有别于该第一金属的第三金属所构成；

其中，该线路图案底层是经蚀刻剂所蚀刻取得，该蚀刻剂对该第一金属与该第三金属分别具有第一蚀刻速率(R1)与第二蚀刻速率(R2)，且R1是远大于R2。

9.根据权利要求8所述的微型化线路，其特征在于：该线路图案底层具有厚度t0，该线路图案下层具有第一厚度t1，且t1/t0>1。

10.根据权利要求9所述的微型化线路，其特征在于：t0介于100nm至200nm间，t1介于5μm至15μm间。

11.根据权利要求8至10任一权利要求所述的微型化线路，其特征在于：叠置于该线路图案下层上的该线路图案上层还包覆该线路图案下层的周缘。