[发明专利]一种金属多层膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810437232.1 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108611603B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 操振华;孙超;魏明真;马玉洁;王耿洁;蔡云鹏;孟祥康 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54;C23C28/02 |
| 代理公司： | 南京业腾知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32321 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 多层 制备 方法 | ||
1.一种金属多层膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将厚度为2mm的单晶硅片衬底依次由丙酮和乙醇超声清洗，吹干后，放入超高真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；
(2)采用直流磁控溅射法，将金属靶材放在真空室靶台上，在本底真空度为1.0×10-5～2.5×10-5Pa的条件下，通入氩气，调节真空室真空度为5.0～7.0Pa，然后开始气辉，预溅射15～30min；
(3)预溅射之后，将真空室真空度调至0.5～1Pa，进行镀膜，先镀Cu层，功率为65～80W，然后Ag层，功率为30～50W，Ag膜与Cu膜的沉积速率均为0.2～0.3nm/s，通过控制沉积时间，来控制单层Ag膜和Cu膜的厚度，保证Ag膜与Cu膜厚度相同，单层Ag膜或Cu膜的厚度为6～20nm，按照先镀Cu层后镀Ag层这个顺序依次交替沉积，得到Cu/Ag多层膜。
2.如权利要求1所述的金属多层膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，单晶硅片衬底依次由丙酮和乙醇超声清洗20～30min。
3.如权利要求1所述的金属多层膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述金属靶材为纯度99.999wt％的Cu和99.999wt％的Ag。
4.如权利要求1所述的金属多层膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，单层Ag膜或Cu膜的厚度为6nm。
5.如权利要求1所述的金属多层膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述Cu/Ag多层膜的厚度为1000nm。
6.如权利要求1至5任一项所述的金属多层膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，镀Cu层时，功率为80W，镀Ag层时，功率为30W，Ag膜与Cu膜的沉积速率均为0.2nm/s。
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