[发明专利]一种单晶电池片的制绒方法

说明书

本发明公开了一种单晶电池片的制绒方法，依次包括以下步骤：S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；S6、用去离子水清洗处理完成的单晶硅片表面；S7、风干单晶硅片表面。此方案具有生产成本低、效率高、生产步骤少、速度快等优点。

技术领域

本发明涉及电池板技术领域，具体为一种单晶电池片的制绒方法。

背景技术

随着全球经济的发展，能源的消耗急剧增长，绝大多数能源是化石燃料，不仅资源日渐减少，而且大量二氧化碳等气体排放，使环境问题日益严重。冶金法提纯多晶硅的工艺因具有提纯技术产能大、生产工艺简单、提纯工艺不涉及化学过程、与环境友好等优点，被广泛使用。而现有技术中的单晶硅片制备技术成本较高且效率不高，在进行生产时企业的生产成本和效益不成正比，另外，随着低端市场的越发成熟，传统技术的高成本、低效益已无法在保证使用性能和技术路线的同时，迎合需求日益旺盛的低端单晶电池片市场。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单晶电池片的制绒方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：1.一种单晶电池片的制绒方法，依次包括以下步骤：

S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；

S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；

S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；

S4、用单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液对处理后的单晶硅片进行腐蚀处理；

S5、进行单晶硅片表面的丝网印刷；

S6、用去离子水清洗处理完成的单晶硅片表面；

S7、风干单晶硅片表面。

优选的，步骤S4中单晶添加剂和氢氧化钠的碱性混合溶液中固态氢氧化钠为6-10％g/L，单晶添加剂体积浓度为1-1.5％。

优选的，步骤S4的反应处理时间为25-30min，反应温度为80-85℃，减薄量为0.3-0.35g。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用特定浓度的碱溶液在特点时间、温度等制备条件下制备出单晶电池片，此过程的制备步骤较少，能大规模生产的同时生产成本较低、生产周期较短，在保证单晶硅片的使用性能的情况下生产效率较高，相较于传统技术中步骤繁多成本较高的制备方法，本发明的步骤较少、生产速度更快、成本控制更为简单。

附图说明

图1为一种单晶电池片的制绒流程示意图。

图2为一种单晶电池片的背电极和背电场图形示意图。

附图标记：1、背电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种单晶电池片的制绒方法，依次包括以下步骤：

S1、单晶硅片的常规表面清洗、晒干；

S2、将单晶硅片的正面和背面氧化；

S3、将单晶硅片正面的光照区氧化层刻蚀；