[发明专利]微波源发射功率控制方法及微波发射系统

权利要求书

1.微波源发射功率控制方法，其特征在于，包括步骤：

a、设定采样率、反射功率阈值和反射功率变化率阈值；

b、按照设定的采样率采集负载反射功率；

c、根据步骤b采集的反射功率计算反射功率变化率；

d、将采集的反射功率和计算得到的反射功率变化率与设定阈值进行比较，当反射功率或反射功率变化率超过设定阈值执行步骤e，否则返回步骤b；

e、向微波源发出控制信号调整发射功率；

f、回步骤b。

2.根据权利要求1所述的微波源发射功率控制方法，其特征在于，步骤a中，根据负载特性设定采样率。

3.根据权利要求1所述的微波源发射功率控制方法，其特征在于，所述控制信号包括发射功率调整量信息。

4.根据权利要求1、2或3所述的微波源发射功率控制方法，其特征在于，所述微波源为磁控管微波源。

5.根据权利要求4所述的微波源发射功率控制方法，其特征在于，所述磁控管微波源至少包括2只磁控管。

6.根据权利要求5所述的微波源发射功率控制方法，其特征在于，所述微波源用于加热物体。

7.微波发射系统，包括微波源、功率采集装置、控制装置，所述功率采集装置以设定的采样频率采集负载反射的微波功率，所述控制装置与功率采集装置和微波源连接，根据功率采集装置采集的反射功率数据输出控制信号，对微波源输出功率进行控制，其特征在于，还包括计算模块，所述计算模块根据功率采集装置采集的反射功率数据进行计算，得到反射功率变化率；所述控制装置中存储有反射功率阈值和反射功率变化率阈值，根据所述反射功率和反射功率变化率与相应阈值的比较结果输出控制信号，调整微波源的输出功率。

8.根据权利要求7所述的微波发射系统，其特征在于，所述微波源为磁控管微波源。

9.根据权利要求8所述的微波发射系统，其特征在于，所述磁控管微波源由2只以上磁控管构成。

10.根据权利要求7所述的微波发射系统，其特征在于，所述控制装置根据反射功率大小或反射功率变化率大小输出控制信号，控制微波源输出功率的调整量。