[发明专利]一种半导体引线框架的加工工艺有效
| 申请号： | 201810437977.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108637084B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王锋涛;黄斌;周开友;谢锐 | 申请（专利权）人： | 四川金湾电子有限责任公司 |
| 主分类号： | B21D35/00 | 分类号： | B21D35/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 代述波 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 冲裁模具 金属料带 半导体引线框架 内引线 外引线 隔墙 预冲 定位孔 精冲 燕尾 成型 半导体功率器件 加工技术领域 冲裁过程 引线框架 裁片 方孔 胶孔 上冲 塑封 溢料 两边 扭曲 | ||
1.一种半导体引线框架的加工工艺，其特征在于，具体包括如下步骤：
S1：根据所需制得的产品预制件选择合适的金属料带,并通过冲裁模具在金属料带上冲出识别孔；
S2：在步骤S1的基础上，用冲裁模具在金属料带上对外引线、定位孔和隔墙进行预冲；
S3：根据定位孔的定位，用冲裁模具在金属料带上依次冲出冲胶孔、成型燕尾一、成型燕尾二，且在加工成型燕尾二后对金属料带进行预切边；
S4：在步骤S3的基础上，用冲裁模具在金属料带上对裁片、方孔和切分条进行预冲；
S5：在步骤S4的基础上，用冲裁模具在金属料带上冲出内引线一、内引线二、内引线三，且同时对定位孔、隔墙进行精冲；
S6：在步骤S5的基础上，用冲裁模具在金属料带上对步骤S2中预冲的外引线进行精冲；
S7：在步骤S6的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的方孔和裁片进行精冲；
S8：在步骤S7的基础上，用冲裁模具对金属料带上对步骤S4中预冲的切分条进行精冲。
2.根据权利要求1所述的半导体引线框架的加工工艺，其特征在于，所述步骤S1中的金属料带宽度大于产品预制件宽度的两倍。
3.根据权利要求1所述的半导体引线框架的加工工艺，其特征在于，所述步骤1至步骤7中的识别孔、外引线、定位孔、隔墙、成型燕尾一、成型燕尾二、切边、裁片、方孔、切分条、内引线一、内引线二、内引线三均为左右对称排布。
4.根据权利要求1所述的半导体引线框架的加工工艺，其特征在于，经过上述S1-S8步骤制得的产品预制件进行清洗检验后放置在产品输送带上进行包装入库。
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