[发明专利]氮化硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括交替进行如下步骤：

步骤1)，采用化学气相沉积法于基底表面沉积氮化硅子薄膜；

步骤2)，对所述氮化硅子薄膜的表面进行等离子体表面处理，所述等离子体表面处理采用的离子包含氮离子。

2.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：交替进行所述步骤1)及所述步骤2)的次数范围介于2～5次，以获得包含多层氮化硅子薄膜堆叠的氮化硅薄膜。

3.根据权利要求2所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：交替进行所述步骤1)及所述步骤2)的次数为4次。

4.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：依据所需沉积的氮化硅薄膜的总厚度，将所述氮化硅薄膜分成若干层循环沉积的氮化硅子薄膜，以确定每层氮化硅子薄膜的沉积厚度。

5.根据权利要求4所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：设定所需沉积的氮化硅薄膜的总厚度范围介于100nm～200nm之间，将所述氮化硅薄膜分成2～5层循环沉积的氮化硅子薄膜，每层氮化硅子薄膜的沉积厚度范围介于20nm～100nm之间。

6.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：所述等离子体表面处理用以打乱所述氮化硅薄膜原有的沉积界面结构，形成一重排界面层于各所述氮化硅子薄膜表面，以降低或消除所述氮化硅薄膜中的针孔缺陷数量。

7.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述化学气相沉积法采用的气源包括硅烷、氨气以及稀释气体，所述稀释气体包含氮气。

8.根据权利要求7所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：所述硅烷的通入速率介于200sccm～300sccm之间，所述氨气的通入速率介于600sccm～900sccm之间，所述稀释气体的通入速率介于600sccm～900sccm之间。

9.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述等离子体表面处理采用的气源包含氮气，所述等离子体表面处理的处理时间介于2s～8s之间。

10.根据权利要求1～9任一项所述的氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于：交替进行的所述步骤1)及步骤2)在同一化学气相沉积机台中原位完成。