[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一材料层于一半导体基板之上；

形成一开口于该材料层中；

沉积一金属层于该开口中并延伸至该材料层上；以及

化学机械研磨一部分的该金属层；

其中该化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂；

其中该有机碱包括烷基胺、氨或前述的组合，该烷基胺包括：具有下列式(I)的一级胺化合物、具有下列式(II)的二级胺化合物、具有下列式(III)的三级胺化合物、具有下列式(IV)的四级铵化合物或前述的组合，

其中，R¹～R¹⁰相同或不同，且各自独立地包括未经取代或经取代的C₁-C₆的烷基、C₆-C₁₄的芳香基，

其中该烷基上取代基包括：C₁-C₈的烷氧基、C₁-C₈的烷基、硝基、卤素原子、或羧基，该芳香基上取代基包括：C₁-C₈的烷氧基、羧基、烷氧羰基、C₁-C₈的卤烷基、C₅-C₈的环烷基或C₁-C₈的烷硫基。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该有机碱包括：甲胺、乙胺、环己胺、二甲胺、二乙胺、甲乙胺、三甲胺、三乙胺、N-甲基-N-乙基苯胺、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵或前述的组合物。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该有机碱在该研磨液中的浓度为大于10ppm且小于等于10000ppm。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该研磨液更包括一无机碱，其中该无机碱包括：氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、氢氧化锶、氢氧化钡、氢氧化铵或前述的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该研磨液更包括一酸，其中该酸包括：盐酸、硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亚磷酸、磷酸、柠檬酸、甲酸、乙酸、丙酸、苯甲酸、柳酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、顺丁烯二酸、邻苯二甲酸、苹果酸、酒石酸、乳酸或前述的组合。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一介电层于一半导体基板之上；

形成一开口穿过该介电层以暴露出该半导体基板；

沉积一阻隔层于该开口中和该介电层上；

沉积一金属层于该开口中并延伸至该阻隔层上；以及

化学机械研磨该金属层直到暴露出该阻隔层，

其中该化学机械研磨使用的一研磨液包括：烷基胺、氨或前述的组合；以及一氧化剂，

其中经化学机械研磨的该金属层的一上表面与该介电层的一上表面齐平；

其中该烷基胺包括：具有下列式(I)的一级胺化合物、具有下列式(II)的二级胺化合物、具有下列式(III)的三级胺化合物、具有下列式(IV)的四级铵化合物或前述的组合，

其中，R¹～R¹⁰相同或不同，且各自独立地包括未经取代或经取代的C₁-C₆的烷基、C₆-C₁₄的芳香基，

其中该烷基上取代基包括：C₁-C₈的烷氧基、C₁-C₈的烷基、硝基、卤素原子、或羧基，该芳香基上取代基包括：C₁-C₈的烷氧基、羧基、烷氧羰基、C₁-C₈的卤烷基、C₅-C₈的环烷基或C₁-C₈的烷硫基。