[发明专利]X射线感测装置及其制造方法在审
申请号: | 201810439176.5 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN110376632A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 许志行 | 申请(专利权)人: | 晶相光电股份有限公司 |
主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电感测元件 第一材料 电路元件 感测装置 柱状结构 基板 闪烁材料 顶表面 接垫 耦接 制造 | ||
1.一种X射线感测装置,其特征在于,包括:
一基板;
一第一材料层,设置于该基板上;
一电路元件,设置于该第一材料层的底部;
一光电感测元件,设置于该电路元件上;
一柱状结构,对应设置于该光电感测元件上,且与该光电感测元件接触,其中该柱状结构包括一闪烁材料;以及
一接垫,设置于该第一材料层的顶表面或底表面上,并与该电路元件耦接。
2.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该闪烁材料与该光电感测元件接触。
3.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该柱状结构还包括一介电层及一导电层,其中该介电层设置于该导电层及该第一材料层之间,该导电层设置于该闪烁材料及该介电层之间。
4.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该闪烁材料包括CsI:Tl、CsI:Na、CsI、BGO(B4G3O12)、LYSO、YSO、Cd2O2S:Tb或前述的组合。
5.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该柱状结构的长宽比的范围为1:1至2:1。
6.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该电路元件包括数字模拟转换器、影像信号处理器或前述的组合。
7.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,还包括一第二材料层,设置于该第一材料层上,且该第二材料层包括二氧化钽(TaO2)、铜(Cu)、铝(Al)或前述的组合。
8.一种X射线感测装置,其特征在于,包括:
一基板;
一第一材料层,设置于该基板上;
一电路元件,设置于该第一材料层的底部;
一柱状结构,设置于该电路元件上,且与该电路元件接触,其中该柱状结构包括一闪烁材料;以及
一接垫,设置于该第一材料层的顶表面或底表面上,并与该电路元件耦接。
9.根据权利要求8所述的X射线感测装置,其特征在于,该闪烁材料包括钙钛矿(perovskite)、PbI3、PbI2、MgI3、HgI2、非晶硒(Se)、CdTe、SiO2或前述的组合。
10.根据权利要求8所述的X射线感测装置,其特征在于,该第一材料层包括硅或玻璃。
11.根据权利要求8所述的X射线感测装置,其特征在于,该柱状结构为一导孔。
12.一种X射线感测装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供一承载基板;
形成一第一材料层于该基板上,其中一电路元件设置于该第一材料层的底部,且一光电感测元件,设置于该电路元件上;
图案化该第一材料层,以形成暴露出该光电感测元件的部分表面的一开口;以及
填充一闪烁材料于该开口中,以形成一柱状结构,其中该柱状结构与该光电感测元件接触。
13.根据权利要求12所述的X射线感测装置的制造方法,其特征在于,于填充该闪烁材料于该开口中的步骤前,还包括:
形成一介电层于该开口中;以及
形成一导电层于该介电层上。
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