[发明专利]X射线感测装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810439176.5 申请日: 2018-05-09
公开(公告)号: CN110376632A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 许志行 申请(专利权)人: 晶相光电股份有限公司
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科学工业*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光电感测元件 第一材料 电路元件 感测装置 柱状结构 基板 闪烁材料 顶表面 接垫 耦接 制造
【权利要求书】:

1.一种X射线感测装置,其特征在于,包括:

一基板;

一第一材料层,设置于该基板上;

一电路元件,设置于该第一材料层的底部;

一光电感测元件,设置于该电路元件上;

一柱状结构,对应设置于该光电感测元件上,且与该光电感测元件接触,其中该柱状结构包括一闪烁材料;以及

一接垫,设置于该第一材料层的顶表面或底表面上,并与该电路元件耦接。

2.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该闪烁材料与该光电感测元件接触。

3.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该柱状结构还包括一介电层及一导电层,其中该介电层设置于该导电层及该第一材料层之间,该导电层设置于该闪烁材料及该介电层之间。

4.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该闪烁材料包括CsI:Tl、CsI:Na、CsI、BGO(B4G3O12)、LYSO、YSO、Cd2O2S:Tb或前述的组合。

5.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该柱状结构的长宽比的范围为1:1至2:1。

6.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,该电路元件包括数字模拟转换器、影像信号处理器或前述的组合。

7.根据权利要求1所述的X射线感测装置,其特征在于,还包括一第二材料层,设置于该第一材料层上,且该第二材料层包括二氧化钽(TaO2)、铜(Cu)、铝(Al)或前述的组合。

8.一种X射线感测装置,其特征在于,包括:

一基板;

一第一材料层,设置于该基板上;

一电路元件,设置于该第一材料层的底部;

一柱状结构,设置于该电路元件上,且与该电路元件接触,其中该柱状结构包括一闪烁材料;以及

一接垫,设置于该第一材料层的顶表面或底表面上,并与该电路元件耦接。

9.根据权利要求8所述的X射线感测装置,其特征在于,该闪烁材料包括钙钛矿(perovskite)、PbI3、PbI2、MgI3、HgI2、非晶硒(Se)、CdTe、SiO2或前述的组合。

10.根据权利要求8所述的X射线感测装置,其特征在于,该第一材料层包括硅或玻璃。

11.根据权利要求8所述的X射线感测装置,其特征在于,该柱状结构为一导孔。

12.一种X射线感测装置的制造方法,其特征在于,包括:

提供一承载基板;

形成一第一材料层于该基板上,其中一电路元件设置于该第一材料层的底部,且一光电感测元件,设置于该电路元件上;

图案化该第一材料层,以形成暴露出该光电感测元件的部分表面的一开口;以及

填充一闪烁材料于该开口中,以形成一柱状结构,其中该柱状结构与该光电感测元件接触。

13.根据权利要求12所述的X射线感测装置的制造方法,其特征在于,于填充该闪烁材料于该开口中的步骤前,还包括:

形成一介电层于该开口中;以及

形成一导电层于该介电层上。

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