[发明专利]连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构

说明书

本发明公开了一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构。每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接。每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部。与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四个常规芯片，其余的常规芯片与该测试专用芯片不毗邻。该隧道式金属线的布线区域不局限于该常规芯片内部以及芯片与芯片中间的空白区域，也可以从其他芯片内部进行布线。因此切割道处的金属线并不密集，当晶圆切割时，金属线不易连接在一起造成短路，从而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。

技术领域

本发明涉及芯片设计领域，特别涉及一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构。

背景技术

晶圆切割是半导体芯片制造工艺流程中一道必不可少的工序，在晶圆制造中属后道工序，就是将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片。

通常晶圆切割工序是在晶圆测试后进行，在晶圆测试环节，为实现芯片的功能测试，有一种方法是在晶圆上除了制作出一些常规的芯片以外，还会制作出测试专用芯片，通过金属线将测试专用芯片的焊盘与常规芯片的焊盘以及内部电路进行相连从而实现测试。图1所示，正中位置的大正方形是测试专用芯片100，其余大正方形是常规芯片，芯片表面的一个个小正方形就是焊盘，通常每个常规芯片内部引出的金属线需经过芯片与芯片之间的空白区域内部(切割道)最终连接至测试专用芯片。这就导致这种具有测试专用芯片的晶圆在进行晶圆切割时，切割道处的金属线非常密集，无论是传统的金刚石锯片切割还是新型的激光切割，产生的机械应力使得金属线翘曲，经常会出现切割道处的金属线连接在一起，造成短路导致常规芯片失效，影响芯片的良率。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线，可以基本解决因晶圆切割所产生的金属线短路问题，进而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。

为实现上述目的，本发明提供了一种连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构。每个测试专用芯片周围均环绕多个常规芯片，每个测试专用芯片均与该多个常规芯片通过金属线相连接。每个测试专用芯片与其不毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域穿过至少二个常规芯片内部。与所述测试专用芯片毗邻的常规芯片是位于该测试专用芯片的上方、下方、左方、右方的四个常规芯片，其余的常规芯片与该测试专用芯片不毗邻。

在一优选的实施方式中，每个测试专用芯片与其毗邻的每个常规芯片相连接的金属线的布线区域仅穿过一个常规芯片内部。

在一优选的实施方式中，所述隧道式金属线的材料是铜。

与现有技术相比，本发明的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线结构具有如下有益效果：该隧道式金属线结构中，连接单个常规芯片与测试专用芯片的金属线的布线区域不局限于该常规芯片内部以及芯片与芯片中间的空白区域，也可以从其他芯片内部进行布线。因此切割道处的金属线并不密集，当晶圆切割时，金属线不易连接在一起造成短路，从而大大提高了晶圆切割工艺的芯片良率。

附图说明

图1是现有技术的一种晶圆内常规芯片与测试专用芯片的金属线连接示意图。

图2是根据本发明一实施方式的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线的平面结构示意图。

图3是根据本发明一实施方式的连接晶圆内常规芯片与测试专用芯片的隧道式金属线的剖面结构示意图。

具体实施方式