[发明专利]一种双硼荧光材料及其制备方法、OLED器件

权利要求书

1.一种双硼荧光材料，其特征在于，所述双硼荧光材料的分子结构通式为其中，Ar为芳环取代基，X为氧原子、硫原子或中的一种，所述R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁独立的选自碳原子数为1-30的烷烃、碳原子数为6-60的稠环芳烃基、碳原子数为5-50的仲氨基、五元烷烃基和六元烷烃基中的一种，其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈取代基数量独立为0-4的整数，R₉、R₁₀、R₁₁取代基数量独立为0-5的整数。

2.根据权利要求1所述的双硼荧光材料，其特征在于，所述Ar为苯环、萘环、蒽环、芘环、屈环、并五苯或菲环中的一种。

3.根据权利要求1所述的双硼荧光材料，其特征在于，所述双硼荧光材料的分子结构包括：

4.一种双硼荧光材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在惰性气氛下，将二溴芳烃、频哪醇硼酸酯、Pd₂(dba)₃和乙酸钠加入到DMF中，加热回流制得二频哪醇硼芳烃；

将所述二频哪醇硼芳烃加入到乙酸铵的乙酸溶液中混合，反应制得二(二甲氧基)硼芳烃；

将所述二(二甲氧基)硼芳烃与2,2`-二溴三苯胺以及正丁基锂混合，反应制得分子结构式为的双硼荧光材料，其中，Ar为芳环取代基。

5.根据权利要求4所述的双硼荧光材料的制备方法，其特征在于，将所述二频哪醇硼芳烃加入到乙酸铵的乙酸溶液中混合，反应制得二(二甲氧基)硼芳烃的步骤具体包括：

在惰性气氛下，将二频哪醇硼芳烃加入到乙酸铵的乙酸溶液中，搅拌5-10h，加入碳酸氢钠中和，乙酸乙酯萃取，硫酸镁干燥，减压浓缩溶剂，然后甲醇溶解，回流过夜，旋干溶剂，得到二(二甲氧基)硼芳烃。

6.一种双硼荧光材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在惰性气氛下，将二溴芳烃、二苯胺、Pd(PPh₃)₄、叔丁醇钾和P(t-Bu)₃HBF₄加入到甲苯中，加热回流制得二(二苯胺)芳烃；

将所述二(二苯胺)芳烃加入到乙酸乙酯溶液中，滴加液溴混合后，反应制得二(二溴二苯胺)芳烃；

将所述二(二溴二苯胺)芳烃与苯硼酸甲酯以及正丁基锂混合，反应制得分子结构式为的双硼荧光材料，其中，Ar为芳环取代基。

7.根据权利要求6所述的双硼荧光材料的制备方法，其特征在于，所述将所述二(二溴二苯胺)芳烃与苯硼酸甲酯以及正丁基锂混合，制得双硼荧光材料的步骤具体包括：

在惰性气氛下，将二(二溴二苯胺)芳烃溶于乙醚，冷却到-78℃，加入正丁基锂，搅拌半个小时，然后加入苯硼酸甲酯，恢复到室温，过夜，加入氯化铵水溶液，乙酸乙酯萃取，硫酸镁干燥，减压浓缩溶剂，柱层析分离得到最终双硼荧光材料。

8.一种OLED器件，其特征在于，包括有机发光层，所述有机发光层的材料为权利要求1-3任一所述的双硼荧光材料。

9.一种OLED器件，其特征在于，包括电子传输层，所述电子传输层的材料为权利要求1-3任一所述的双硼荧光材料。

10.一种QLED器件，其特征在于，包括电子注入层，所述电子注入层的材料为权利要求1-3任一所述的双硼荧光材料。