[发明专利]一种利用多晶材料制备单晶电容的方法

权利要求书

1.一种利用多晶材料制备单晶电容的方法，所述方法包括以下步骤：

(1)在衬底上制备电容的测试电极；

(2)利用聚焦离子束-电子束双束系统的电子束背散射衍射标定并选取多晶材料中的单晶颗粒；

(3)利用聚焦离子束-电子束双束系统的聚焦离子束在步骤(2)中选取的单晶颗粒上刻蚀出两个平行沟槽，在两个刻蚀出的平行沟槽内沉积电绝缘保护层，利用聚焦离子束-电子束双束系统提取具有电绝缘保护层的单晶颗粒；

(4)从具有电绝缘保护层的单晶颗粒的、除了具有所述电绝缘保护层之外的一侧或相对的两侧刻蚀单晶颗粒至目标厚度；

(5)以任意的顺序，在刻蚀至目标厚度的单晶颗粒上进行以下步骤(a)和(b)，从而制得电容：

(a)在单晶颗粒的、除了具有所述电绝缘保护层之外的两侧形成电容电极；

(b)刻蚀去除单晶颗粒上部多余的部分；

(6)将步骤(5)中制得的电容的电容电极与步骤(1)中制得的测试电极连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底材料选自Si、Ge、SiO₂、SiO₂/Si、MgO、Al₂O₃、AlN、GaN、GaAs、GaP、ZnO、CdTe、ZnSe、ZnS、CdS、CdTe、SeAsTe、HgCdTe、ZnCdTe、LiAlO₂、SiC、ScAlMgO₄、MgAl₆O₁₀、SiTiO₃、LaAlO₃、掺钇氧化锆、铝酸锶钽镧、KTaO₃、NdGaO₃、LaSrAlO₄、MgAl₂O₄、SiN、BaTiO₃、DyScO₃、GdScO₃、掺铌钛酸锶、Gd₃Ga₅O₁₂、掺铁钛酸锶、Tb₃Ga₅O₁₂、NaCl、KBr、TiO₂、CaCO₃、LiNbO₃、YAlO₃、YVO₄、LiTaO₃、Nd:GdVO₄、TeO₂、BaF₂、MgF₂、CaF₂、LiF、PbWO₄、钇铁石榴石、掺铈钇铝石榴石、锗酸铋、硅酸铋、陶瓷、玻璃、石英、云母和柔性材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底材料选自Hg_1-xCd_xTe，式Hg_1-xCd_xTe中x为0≤x≤1。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，式Hg_1-xCd_xTe中x为0.1≤x≤0.9。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底材料选自Zn_1-xCd_xTe，式Zn_1-xCd_xTe中x为0≤x≤1。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，式Zn_1-xCd_xTe中x为0.1≤x≤0.9。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述柔性材料为聚乙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚丙烯膜或聚二甲基硅氧烷膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底为SiO₂/Si或MgO。