[发明专利]高光电转换效率Bi2

权利要求书

1.高光电转换效率Bi₂MoO₆光阳极，其特征在于，所述的高光电转换效率Bi₂MoO₆光阳极是，首先利用磁控溅射的方法在导电基底上附着一层Bi₂MoO₆薄膜，再通过电泳沉积法在Bi₂MoO₆薄膜上沉积Bi₂MoO₆粉体，经高温退火处理制得。

2.一种高光电转换效率Bi₂MoO₆光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)利用磁控溅射的方法在导电基底上附着一层Bi₂MoO₆薄膜：安装Bi₂MoO₆靶材和FTO基底，导电层面向靶材，采用直靶溅射的方式，调整靶材与基底的间距，对磁控溅射镀膜设备的溅射腔室进行抽真空处理，至本底气压为1.7×10^-4Pa；设定射频电源功率；溅射过程中的气压保持在0.5Pa，FTO不加热，并设置沉积时间；将制得的附着一层Bi₂MoO₆薄膜的FTO基底密封保存；

2)通过电泳沉积法在Bi₂MoO₆薄膜上沉积Bi₂MoO₆粉体：将适量的Bi₂MoO₆粉末样品和I₂超声震荡分散于丙酮与水的混合溶液中，获得电泳沉积的悬浮液；将步骤1)制备的附着一层Bi₂MoO₆薄膜的FTO基底与一个清洗干净的FTO基底插入到电泳沉积的悬浮液中，并在两电极间施加一定的直流电压，沉积设定的时间后，切断电流，将电泳沉积了Bi₂MoO₆粉末的附着一层Bi₂MoO₆薄膜的FTO基底从悬浮液中取出，在室温条件下晾干并在马弗炉中焙烧，得到高光电转换效率Bi₂MoO₆光阳极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，调整靶材与基底的间距为6cm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，设定射频电源功率为60W，设置沉积时间为1h。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，I₂与Bi₂MoO₆的质量比为6:1；丙酮与水的混合溶液中，按体积比，丙酮:水＝25:1。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，在两电极间施加15V的直流电压，沉积时间为1-5min。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，马弗炉中焙烧温度为500℃，焙烧时间为90min。

8.权利要求1所述的高光电转换效率Bi₂MoO₆光阳极在光电化学分解水中的应用。