[发明专利]一种叠层蓝光有机电致发光器件及其制造工艺在审

专利信息
申请号: 201810442690.4 申请日: 2018-05-10
公开(公告)号: CN108649130A 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 王振;王培;谢嘉凤;陈爱;郑新;舒梁博 申请(专利权)人: 重庆邮电大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 代理人: 刘小红;陈栋梁
地址: 400065 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 发光单元 蓝光有机电致发光器件 蓝色发光 制造工艺 主体材料 叠层 空穴 阴极 电子传输材料 电荷产生层 蓝色发光层 阳极 堆叠设置 发光效率 客体材料 蓝光发射 器件结构 产生层 单电荷 功能层 有效地 中空穴 隔开 基板 激子 肩峰 绿光 客体 掺杂 阻挡 扩散 辐射
【权利要求书】:

1.一种叠层蓝光有机电致发光器件,其特征在于,包括:基板,所述基板上设置有ITO阳极层(1),所述阳极层(1)上设置有空穴传输层(2),所述空穴传输层(2)上设置有蓝色发光单元(3),所述蓝色发光单元(3)上设置有空穴阻挡层(4),所述空穴阻挡层(4)上设置有电子传输层(5),所述电子传输层(5)上还设置有电荷产生层(6),所述电荷产生层(6)上依次设置有空穴传输层(2)、蓝色发光单元(3)、空穴阻挡层(4)、电子传输层(5)、电子注入层(7)及Al阴极(8),其中ITO阳极层(1)用于作为器件阳极,注入空穴,空穴传输层(2)用于传输空穴较快地达到蓝色发光单元(3),蓝色发光单元(3)用于作为器件核心部件,性能与电荷产生层性能密切相关,空穴阻挡层(4)用于阻挡空穴,使得更多空穴与电子在发光单元中形成激子复合发光,电子传输层(5)用于既可以作为加快电子传输还可以作为阻挡空穴,电荷产生层(6)用于两个发光单元之间电荷产生泵,一侧产生电子、一侧产生空穴,与电极作用类似注入载流子到各侧邻近发光单元,电子注入层(7)用于较快地传输电子到发光单元以及阻挡空穴,Al阴极(8)用于器件阴极,注入电子。

2.根据权利要求1所述的叠层蓝光有机电致发光器件,其特征在于,所述蓝色发光单元(3)为两个,被电荷产生层(6)隔开,所述蓝色发光单元(3)包括主体材料、客体材料,客体材料以10wt%(质量分数)掺杂在主体材料中。

3.根据权利要求2所述的叠层蓝光有机电致发光器件,其特征在于,所述蓝色发光单元(3)的蓝色磷光材料为Firpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱)。

4.根据权利要求1-3之一所述的叠层蓝光有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴阻挡层(4)的材料是具有空穴阻挡特性的功能层材料。

5.根据权利要求4所述的绿光肩峰抑制叠层蓝光有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴阻挡层(4)的材料采用BCP溴甲酚紫。

6.根据权利要求1-3之一所述的绿光肩峰抑制叠层蓝光有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层(5)的材料为Alq3三(8-羟基喹啉)铝绿色荧光材料。

7.根据权利要求1-3之一所述的绿光肩峰抑制叠层蓝光有机电致发光器件,其特征在于,所述电荷产生层(6)采用的材料为(Pentacene(并五苯)作为空穴产生材料,C60足球烯作为电子产生材料,Al(铝)/Cs2CO3碳酸铯共同作为电荷产生层修饰材料提高电荷产生层的电荷产生能力,所述电子注入层(7)采用的材料为Cs2CO3碳酸铯,空穴传输层(2)采用的材料为NBP(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)。

8.一种制造前述权利要求1-7之一叠层蓝光有机电致发光器件的工艺,其特征在于,包括以下步骤:

对衬底进行常规的去除其表面油污和灰尘的清洗操作,包括采用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗;为了获得较高的表面洁净度和ITO功函数,采用氧等离子体对前期清洗后的衬底进行处理,处理过程中保持O2流量800ml/min,处理设备功率80-100W,处理时间为8mins;然后立即放入蒸发镀膜仪的真空腔体内;采用真空热蒸镀方法,在高真空条件下制备器件,其中,镀第一层NPB材料时,蒸镀速率控制在0.1nm/s,持续时间为400s,蓝色发光单元中TPBi与Firpic同时蒸镀形成发光单元,TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)速率控制在0.1nm/s,Firpic的镀膜速率需要调大膜厚检测仪的工具因子,保持在0.1nm/s即可,持续时间为100s,蒸镀BCP与Alq3时,速率控制在0.1nm/s,Al作为电荷产生层的一部分时控制在0.2nm/s,时间持续200s,作为阴极时蒸镀速率控制在0.3nm/s,持续时间大约333s,Cs2CO3蒸镀速率控制在0.02nm/s,持续时间50s,C60与Pentacene蒸镀时速率均控制在0.1nm/s。

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