[发明专利]一种新型三维集成封装结构在审
| 申请号： | 201810442806.4 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108598062A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 姚昕;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人： | 张婉 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 三维集成 芯片 再布线层 互连 二维结构 功能芯片 结构表面 金属材料 生产效率 信号互连 引线键合 成品率 集成度 键合丝 微凸点 系统级 倒扣 多层 二维 减小 通孔 凸点 粘接 封装 | ||
1.一种新型三维集成封装结构的制作方法，其特征在于：
A、根据芯片尺寸大小、芯片焊盘或凸点分布、电互连设计要求，设计制作TSV转接板圆片，TSV转接板圆片包含再布线层，再布线实现TSV转接板内部互连；
B、在所述TSV转接板圆片背面上制作若干凹槽，所述凹槽尺寸、厚度与所述芯片尺寸、厚度相匹配；
C、将芯片高精度倒扣焊在TSV转接板圆片凹槽中，芯片凸点与凹槽中TSV焊盘焊接互连；
D、在所述TSV转接板圆片背面TSV焊盘上制作微凸点，最后切割，形成单颗的基于TSV技术的二维集成封装结构；
E、所述二维集成封装结构通过TSV中填充金属实现芯片与TSV转接板互连集成，然后通过转接板微凸点实现多颗二维集成封装结构Z向堆叠集成，制成三维集成封装结构。
2.根据权利要求1所述的制成三维集成封装结构的方法，其特征在于：芯片与凹槽焊盘互连还可以通过引线键合互连工艺实现。
3.根据权利要求1所述的制成三维集成封装结构的方法，其特征在于：芯片可实现多功能、系统级三维集成。
4.根据权利要求1所述的制成三维集成封装结构的方法，其特征在于：三维封装结构互连还可以是包含二维集成封装结构圆片的三维堆叠集成。
5.一种三维集成封装结构，其特征在于：
所述三维集成封装结构由若干个二维封装结构通过TSV转接板微凸点互连；
所述二维封装结构包括芯片、TSV转接板、再布线层、键合丝，以及微凸点，其中，芯片倒扣焊或者粘接在TSV转接板凹槽内，在所得TSV转接板表面设有再布线层，并且通过再布线层、芯片凸点/键合丝、以及TSV转接板通孔金属实现芯片的信号互连。
6.根据权利要求1所述三维集成封装结构，其特征在于：芯片与凹槽焊盘互连还可以通过引线键合互连工艺实现。
7.根据权利要求1所述三维集成封装结构，其特征在于：芯片可实现多功能、系统级三维集成。
8.根据权利要求1所述新型三维集成封装结构，其特征在于：三维封装结构互连还可以是包含二维集成封装结构圆片的三维堆叠集成。
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