[发明专利]偏置电流电路

权利要求书

1.一种偏置电流电路，其特征在于，包括：偏置电流主体单元、输出单元和电源电压自适应单元；

偏置电流主体单元，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻；

所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极都连接到第一节点并组成镜像结构；

所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极都连接电源电压；

所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地；

所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极都连接到第二节点，所述第二NMOS管的源极连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地；

由所述第一NMOS管和所述第一PMOS管组成第一电流路径；由所述第一电阻、所述第二NMOS管和所述第二PMOS管组成第二电流路径；

所述输出单元和所述第一PMOS管镜像并输出偏置电流；

所述电源电压自适应单元包括第三MOS晶体管、上拉电流源和下拉电流源；

所述第三MOS晶体管的第一端连接所述第一节点，所述第三MOS晶体管的第二端连接所述第二节点，所述第三MOS晶体管的第三端为栅极且连接到使所述第三MOS晶体管保持导通的电位；

所述上拉电流源和所述第一PMOS管呈镜像结构，所述下拉电流源的电流大小等于所述上拉电流源的电流大小；

所述上拉电流源连接到所述第二节点，所述下拉电流源连接到所述第一节点，所述上拉电流源和所述下拉电流源的电流相等使所述上拉电流源通过所述第二节点全部流入到所述第三MOS晶体管中；

在所述电源电压降低时，所述下拉电流源使所述第一节点的电压降低并低于所述第二节点的电压，所述第三MOS晶体管的第一端和第二端之间的源漏电压增加，所述第一节点的电压降低使所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的性能变好；

当所述电源电压升高后，所述第三MOS晶体管不产生电压差，所述偏置电流主体单元的工作状态等同于所述第一节点和所述第二节点短路连接在一起的工作状态。

2.如权利要求1所述的偏置电流电路，其特征在于：所述第三MOS晶体管为第三PMOS管，所述第三MOS管的第一端为漏极，所述第三MOS管的第二端为源极，所述第三MOS管的第三端接地。

3.如权利要求1或2所述的偏置电流电路，其特征在于：所述上拉电流源由第四PMOS管组成，所述第四PMOS管的源极连接电源电压，所述第四PMOS管的栅极连接所述第一节点，所述第四PMOS管的漏极连接所述第二节点。

4.如权利要求3所述的偏置电流电路，其特征在于：所述下拉电流源由第三NMOS管组成，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管漏极连接所述第一节点，所述第三NMOS管的栅极连接使所述下拉电流源的电流等于所述上拉电流源的电流的偏置电压。

5.如权利要求4所述的偏置电流电路，其特征在于：所述第三NMOS管的栅极的偏置电压由第三电流路径提供，所述第三电流路径包括和所述第四PMOS管相镜像的第一镜像电路以及和所述第三NMOS管相镜像的第二镜像电路，所述第一镜像电路的电流和所述第二镜像电路的电流相等并由所述第一镜像电路和所述第二镜像电路连接形成所述第三电流路径。

6.如权利要求5所述的偏置电流电路，其特征在于：所述第一电流路径的电流等于所述第二电流路径的电流。

7.如权利要求6所述的偏置电流电路，其特征在于：所述上拉电流源的电流小于所述第一电流路径的电流。

8.如权利要求5所述的偏置电流电路，其特征在于：所述第一镜像电路由第五PMOS管组成，所述第五PMOS管的源极连接电源电压，所述第五PMOS管的漏极连接所述第二镜像电路，所述第五PMOS管的栅极连接所述第一节点。