[发明专利]一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法在审
| 申请号： | 201810443588.6 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108315699A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 何建进 | 申请（专利权）人： | 苏州精美科光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜工艺 靶材 贴合 陶瓷 熔点 重量比 下层 上层 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法，靶材的上层为陶瓷，下层外硅，其特征在于，在镀膜工艺之前在陶瓷与硅之间加入提高熔点的贴合介质，所述贴合介质由重量比为70-93%的白银和7-30%的锡组成。
2.根据权利要求1所述的一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法，其特征在于，所述贴合介质由重量比为74%的白银和26%的锡组成。
3.根据权利要求1所述的一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法，其特征在于，所述贴合介质由重量比为80%的白银和20%的锡组成。
4.根据权利要求1所述的一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法，其特征在于，所述贴合介质由重量比为86%的白银和14%的锡组成。
5.根据权利要求1所述的一种降低靶材在镀膜工艺中脱靶的方法，其特征在于，所述贴合介质由重量比为92%的白银和8%的锡组成。
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