[发明专利]用于腔室部件的多层等离子体侵蚀保护有效
| 申请号： | 201810444173.0 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878246B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | T·特兰;K·莱克西斯沃;T·W·金;D·卢博米尔斯基;邬笑炜;X-M·何;C-H·周;J·Y·孙 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 部件 多层 等离子体 侵蚀 保护 | ||
1.一种腔室部件，包括：
主体，所述主体包括表面和所述主体中的多个高深宽比特征，所述多个高深宽比特征具有约1:1至约300:1的深宽比；
在所述表面上和所述多个高深宽比特征的壁上的保形的第一抗等离子体层，所述第一抗等离子体层具有大约0％的孔隙率和大约100纳米至大约1微米的厚度；以及
第二抗等离子体层，所述第二抗等离子体层覆盖所述表面的区域处的所述保形的第一抗等离子体层但不覆盖所述多个高深宽比特征的所述壁处的所述保形的第一抗等离子体层，所述第二抗等离子体层具有小于1％的孔隙率和大约1-10微米的厚度。
2.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述腔室部件是用于等离子体蚀刻反应器的腔室部件，所述腔室部件包括金属或烧结陶瓷中的至少一者。
3.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述第一抗等离子体层是选自由Y2O3、Al2O3、Y3Al5O12、Er3Al5O12、Y5O4F7和YF3构成的组的原子层沉积(ALD)涂层。
4.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述第一抗等离子体层是包括Ni的镀覆涂层。
5.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述第二抗等离子体层是选自由Y3Al5O12、Y2O3、Al2O3、Er3Al5O12、Y5O4F7和YF3构成的组的保形的抗等离子体层。
6.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述腔室部件是用于处理腔室的喷头，并且其中所述多个高深宽比特征是所述喷头中的多个孔。
7.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，包括所述第一抗等离子体层和所述第二抗等离子体层的所述腔室部件的击穿电压为大约1000-1500伏特/密耳。
8.一种腔室部件，包括：
主体，所述主体包括表面和所述主体中的多个高深宽比特征，其中所述多个高深宽比特征具有约1:1至约300:1的深宽比，并且其中所述表面的区域具有大约200-300微英寸的表面粗糙度；
在所述表面上和所述多个高深宽比特征的壁上的保形的第一抗等离子体层，所述第一抗等离子体层具有大约0％的孔隙率和大约100纳米至大约10微米的厚度，其中所述保形的第一抗等离子体层的表面具有表面粗糙度，该表面粗糙度基于所述表面的所述区域处的表面粗糙度；以及
第二抗等离子体层，所述第二抗等离子体层覆盖所述表面的所述区域处的所述保形的第一抗等离子体层但不覆盖所述多个高深宽比特征的所述壁处的所述保形的第一抗等离子体层，所述第二抗等离子体层具有大约1-5％的孔隙率和大约4-20密耳的厚度，其中所述保形的第一抗等离子体层的所述表面粗糙度利于所述第二抗等离子体层粘附到所述保形的第一抗等离子体层。
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