[发明专利]管理闪存模块的方法和闪存控制器

说明书

本发明公开了一种管理闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括了多个闪存芯片，每一个闪存芯片包括多个第一暂存区块以及多个第二暂存区块，每一个第一暂存区块及第二暂存区块包括了多个数据页，以及所述方法包括有：将数据写入至所述多个第二暂存区块中的第二暂存区块中；当所述闪存模块的存取符合特定条件时，将存储于所述第二暂存区块中的所述数据搬移至所述多个第一暂存区块中的第一暂存区块，并在所述第一暂存区块中记录目前所述第二暂存区块的第一个空白数据页的信息。本发明通过在第一暂存区块中记录目前第二暂存区块的最后一个空白数据页的信息，可在发生断电后回复的状况后能够准确地判断出第二暂存区块与第一暂存区块中的数据新旧。

技术领域

本发明涉及闪存，尤其涉及一种管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器。

背景技术

在采用立体NAND型闪存(3D NAND-type flash)的架构中，当闪存控制器需要将数据写入至闪存模块中的多层式存储(Multiple-Level Cell，MLC)区块或是三层式存储(Triple-Level Cell，TLC)区块时，一次写入的数据量必须要很大，例如64千位组(KB)或是128KB，然而，若是闪存控制器需要写入的数据具有很小数据量(例如，4KB)的随机数据时，则闪存控制器需要加入60KB或是124KB的虚拟无效数据(dummy data)至4KB的随机数据中，以使得一次写入的数据量为64KB或是128KB。在这种情况下，若是具有很小数据量的随机数据量很多的时候，每一个区块的大部分内容都会是无效数据，因此会使得闪存模块的空间会很快地不足，进而需要频繁地进行垃圾数据回收(garbage collection)操作，影响到系统效能。

为了避免上述情况，可以在闪存模块中另外设置一暂存区块，其用来收集这些具有很小数据量的随机数据，等到收集到足够数据量的时候再从所述暂存区块写回到上述的多层式存储区块或是三层式存储区块。然而，若是在这种数据写入的过程中发生断电后回复(power off recovery，POR)或是突发断电后回复(sudden power off recovery，SPOR)状况时，则会无法判断暂存区块与多层式存储区块或是三层式存储区块中的数据的新旧，进而造成后续重新建立地址映像表上的问题。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于公开一种管理闪存模块的方法，其可以在发生断电后回复或是突发断电后回复状况时，仍然可以正确地判断出暂存区块与多层式存储区块或是三层式存储区块中的数据的新旧，以顺利地重新建立地址映像表，以解决先前技术中的问题。

在本发明的一个实施例中，公开了一种管理一闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括了多个闪存芯片，每一个闪存芯片包括多个第一暂存区块以及多个第二暂存区块，每一个第一暂存区块及第二暂存区块包括了多个数据页，以及所述方法包括有：将一第一数据写入至所述多个第二暂存区块中的一第二暂存区块中；当所述闪存模块的存取符合一特定条件时，将存储于所述第二暂存区块中的所述第一数据搬移至所述多个第一暂存区块中的一第一暂存区块，并在所述第一暂存区块中记录目前所述第二暂存区块的第一个空白数据页的信息。

在本发明的另一个实施例中，公开了一种管理一闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括了多个闪存芯片，每一个闪存芯片包括多个第一暂存区块以及多个第二暂存区块，每一个第一暂存区块及第二暂存区块包括了多个数据页，以及所述方法包括有：当发生断电后回复状况时，读取一第一暂存区块中一数据页的备用区域的内容，并决定出一数据页序号；判断一第二暂存区块中位于所述数据页序号之前的所有数据页为无效数据页；以及判断所述第二暂存区块中包括所述数据页序号及之后的所有数据页为有效数据页。