[发明专利]一种双层钼薄膜及其制备方法、薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）通过射频溅射法在基底上沉积形成钼薄膜底层；所述射频溅射法的溅射功率为150-180W；

2）通过直流溅射法在钼薄膜底层上沉积形成钼薄膜顶层；所述直流溅射法的溅射功率为80-120W；

所述射频溅射和直流溅射均在惰性气氛中进行，射频溅射时惰性气氛的气压为0.3-0.6Pa，直流溅射时惰性气氛的气压为0.1-0.3Pa；

所述双层钼薄膜层的厚度为0.5-1μm；所述钼薄膜底层与钼薄膜顶层的厚度比为1-5:9-5。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述钼薄膜底层与钼薄膜顶层的厚度比为1:9、2:8、3:7、4:6或5:5。

3.根据权利要求1-2任意一项所述的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1）中在射频溅射前对基底进行清洗，所述清洗是采用丙酮、乙醇、水依次清洗。

4.一种采用权利要求1所述的方法制得的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜。

5.一种使用权利要求4所述的双层钼薄膜的薄膜太阳能电池。