[发明专利]功率放大电路有效

专利信息
申请号: 201810445462.2 申请日: 2018-05-10
公开(公告)号: CN108880489B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 浪江寿典 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03F1/56 分类号: H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 赵琳琳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 放大 电路
【说明书】:

本发明提供一种能够改善增益散射的特性的功率放大电路。功率放大电路(10)具备:晶体管(Q2)、偏置电流源(60)和调整电路(70)。晶体管(Q2)接受可变电源电压(Vcc2)的提供,对RF信号进行放大。偏置电流源(60)通过第1电流路径(L1)来向晶体管(Q2)的基极提供偏置电流。可变电源电压(Vcc2)越低,调整电路(70)越使从偏置电流源(60)通过第2电流路径(L2)而流向匹配电路(80)的输入端子(80A)的电流增大,从偏置电流源(60)通过第2电流路径(L2)而流向输入端子(80A)的电流越增大,调整电路(70)越使从偏置电流源(60)通过第1电流路径(L1)而流向晶体管(Q2)的基极的偏置电流减少。

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

在移动电话等的移动通信终端中,使用对向基站发送的RF(Radio Frequency,射频)信号进行放大的功率放大电路。功率放大电路具备:对RF信号进行放大的晶体管、和对晶体管的偏置点进行控制的偏置电路。作为这种偏置电路,例如专利文献1所述那样,已知具备以下部件的偏置电路:向晶体管提供偏置信号的发射极跟随器晶体管、用于生成向该发射极跟随器晶体管的集电极提供的恒定电压的恒定电压生成电路。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:JP特开2014-171170号公报

若使用专利文献1所述的偏置电路,则增益散射(gain dispersion)的特性可能不能满足顾客所要求的特性。所谓增益散射,是指增益相对于向晶体管提供的电源电压的变化的差,为了引出包络线跟踪电源电路的性能,希望改善增益散射的特性。

发明内容

因此,本发明的课题在于,提供一种能够改善增益散射的特性的功率放大电路。

为了解决上述的课题,与本发明有关的功率放大电路具备:(i)匹配电路,具有输入端子以及输出端子;(ii)晶体管,具有与输出端子连接的基极、和接受第1电压以上且第2电压以下的可变电源电压的提供的集电极,对从输入端子通过匹配电路以及输出端子而向基极输入的RF信号进行放大;(iii)偏置电流源,通过第1电流路径来向晶体管的基极提供偏置电流;和(iv)调整电路,根据可变电源电压来调整向晶体管的基极提供的偏置电流。将高于第1电压并且低于第2电压的电压设为第3电压。在可变电源电压为第1电压以上且第3电压以下时,可变电源电压越低,调整电路越使从偏置电流源通过第2电流路径而流向输入端子的电流增大,从偏置电流源通过第2电流路径而流向输入端子的电流越增大,调整电路越使从偏置电流源通过第1电流路径而流向晶体管的基极的偏置电流减少。

根据与本发明有关的功率放大电路,能够改善增益散射的特性。

附图说明

图1是与本发明的实施方式1有关的功率放大电路的电路图。

图2是表示与本发明的实施方式1有关的、向对RF信号进行放大的晶体管提供的可变电源电压与对向该晶体管提供的偏置电流进行调整的异质结双极晶体管的基极-集电极间的电压的关系的图表。

图3是表示与本发明的实施方式1有关的、向对RF信号进行放大的晶体管提供的可变电源电压与向该晶体管提供的偏置电流的关系的图表。

图4是表示与本发明的实施方式1有关的、向对RF信号进行放大的晶体管提供的可变电源电压与该晶体管的集电极中流过的电流的关系的图表。

图5是表示与本发明的实施方式1有关的、向对RF信号进行放大的晶体管提供的可变电源电压与对向该晶体管提供的偏置电流进行调整的调整电路中流过的电流的关系的图表。

图6是表示与本发明的实施方式1有关的、向对RF信号进行放大的晶体管提供的可变电源电压与对向该晶体管提供的偏置电流进行调整的调整电路中流过的电流的关系的图表。

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