[发明专利]具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe2 有效
申请号: | 201810446049.8 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108517469B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 龚元元;王经纬;徐锋;卢国文;陈栋 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学;江苏晨朗电子集团有限公司 |
主分类号: | C22C38/12 | 分类号: | C22C38/12;H01F1/01 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 宽温区零 热膨胀 效应 hf ta fe base sub | ||
1.一种具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金,其特征在于,所述的磁相变合金原子表达式为Hf0.87Ta0.13Fe2,所述磁相变合金在124K-250K温区的热膨胀系数α=1.5×10-7K-1,具有零热膨胀效应。
2.如权利要求1所述的磁相变合金的制备方法,其特征在于,所述磁相变合金以高纯金属单质Hf、Ta和Fe为原料,按照合金表达式精确配比各合金单质,通过电弧熔炼法制备,熔炼在高纯氩气氛围保护下进行;熔炼后的合金在1000℃退火168小时,随后炉冷至室温。
3.如权利要求1所述的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金作为低温液体封密件材料的用途。
4.如权利要求1所述的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金作为高精密光学镜表面涂层的用途。
5.如权利要求1所述的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金作为低温传感器的敏感元件材料的用途。
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