[发明专利]电熔丝电路及熔丝单元结构在审

专利信息
申请号: 201810446098.1 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108615718A 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 王昌锋 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;G11C17/16;G11C17/18
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 熔丝 支路 连接端点 熔丝单元 电熔丝电路 编程器件 第二电极 第一电极 第一端 控制端 熔丝线 接收控制信号 半导体器件 支路并联 电压源 端接地 减小
【说明书】:

发明涉及一种电熔丝电路,涉及半导体器件,包括:一编程器件,包括一第一端、一第二端和一控制端,所述第二端接地,所述控制端用于接收控制信号;以及一熔丝单元,所述熔丝单元包括一第一熔丝支路和一第二熔丝支路,所述第一熔丝支路与所述第二熔丝支路并联连接形成一第一连接端点和一第二连接端点,所述第一连接端点连接所述编程器件的所述第一端,所述第二连接端点连接一电压源,且每一所述熔丝支路包括至少一熔丝部分,所述熔丝部分包括一第一电极、一第二电极及一熔丝线,所述第一电极与第二电极通过所述熔丝线连接;以减小熔丝单元阻值的波动。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及一种电熔丝电路。

背景技术

随着半导体工业的发展,对电子装置的高速化、高精度及高稳定的要求越来越严格。电熔丝电路作为一种半导体器件在通信设备、计算机等的处理器中得到广泛应用,且对其性能的要求也越来越高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电熔丝电路,以大大减小单个熔丝部分因工艺偏差而影响熔丝单元编程前及编程后的良率的几率,且减小了不同硅片间的熔丝单元编程前及编程后阻值的波动范围。

本发明提供的一种电熔丝电路,包括:一编程器件,包括一第一端、一第二端和一控制端,所述第二端接地,所述控制端用于接收一控制信号;以及一熔丝单元,所述熔丝单元包括一第一熔丝支路和一第二熔丝支路,所述第一熔丝支路与所述第二熔丝支路并联连接形成一第一连接端点和一第二连接端点,所述第一连接端点连接所述编程器件的所述第一端,所述第二连接端点连接一电压源,且每一所述熔丝支路包括至少一熔丝部分,所述熔丝部分包括一第一电极、一第二电极及一熔丝线,所述第一电极与第二电极通过所述熔丝线连接。

更进一步的,所述第一连接端点为阴极电极端,所述第二连接端点为阳极电极端。

更进一步的,所述第一熔丝支路包括一第一熔丝部分和一第二熔丝部分,所述第一熔丝部分的阴极连接所述第二熔丝部分的阳极,所述第二熔丝支路包括一第三熔丝部分和一第四熔丝部分,所述第三熔丝部分的阴极连接所述第四熔丝部分的阳极,且所述第一熔丝部分的阳极连接所述第三熔丝部分的阳极以形成所述第二连接端点,所述第二熔丝部分的阴极连接所述第四熔丝部分的阴极以形成所述第一连接端点。

更进一步的,每一所述熔丝支路包括的所述熔丝部分的个数相同。

更进一步的,所述熔丝部分的连接方式相同。

更进一步的,所述每一熔丝支路包括一个熔丝部分,所述第一熔丝支路内的熔丝部分的阴极与所述第二熔丝支路内的熔丝部分的阴极连接以形成所述第一连接端点,所述第一熔丝支路内的熔丝部分的阳极与所述第二熔丝支路内的熔丝部分的阳极连接以形成所述第二连接端点。

本发明还提供一种熔丝单元结构,包括:一第一熔丝支路结构,包括一第一阴极区和一第一阳极区;一第二熔丝支路结构,包括一第二阴极区和一第二阳极区;一第一连接布线,所述第一连接布线的一端连接所述第一阴极区,所述第一连接布线的另一端连接所述第二阴极区以构成所述熔丝单元结构的阴极区;以及一第二连接布线,所述第二连接布线的一端连接所述第一阳极区,所述第二连接布线的另一端连接所述第二阳极区以构成所述熔丝单元结构的阳极区。

更进一步的,所述第一熔丝支路结构还包括一第一熔丝线布线,所述第一熔丝线布线连接所述第一阴极区和所述第一阳极区;所述第二熔丝支路结构还包括一第二熔丝线布线,所述第二熔丝线布线连接所述第二阴极区和所述第二阳极区。

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