[发明专利]半导体纳米晶体颗粒、其制造方法和包括其的电子器件

说明书

公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2017年5月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0058474的优先权和由其产生的所有权益，将其全部内容引入本文作为参考。

技术领域

公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法和包括其的电子器件。

背景技术

不同于块状材料，纳米颗粒的本征物理特性(例如，能带隙和熔点)可通过改变纳米颗粒尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)是具有几纳米的尺寸的结晶性材料。半导体纳米晶体颗粒具有如此小的尺寸以致于其具有大的每单位体积的表面积并且呈现出量子限制效应，且因此可具有与具有相同组成的块状材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源的光而被激发，并且可发射与其能带隙对应的光。

量子点可使用如下合成：气相沉积方法例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)等，包括将前体材料添加至有机溶剂以生长晶体的湿化学方法等。在湿化学方法中，有机化合物例如配体/配位溶剂可在晶体生长期间配位在纳米晶体的表面上、例如结合至纳米晶体的表面以控制晶体生长。

发明内容

一种实施方式提供能够以改善的效率发射蓝色光的不含镉的半导体纳米晶体颗粒。

一种实施方式提供制造所述半导体纳米晶体颗粒的方法。

一种实施方式提供包括所述半导体纳米晶体颗粒的电子器件。

在一种实施方式中，半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se),

其中碲的量小于硒的量(其中如果Te的量为a且Se的量为b，则a<b),

所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和

所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米(nm)的波长处的最大发射峰的蓝色光。

所述半导体纳米晶体颗粒可具有小于或等于约0.05:1的碲对硒的摩尔比(例如，如通过电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测量的)。

在所述半导体纳米晶体颗粒中，例如，碲对硒的摩尔比可小于约0.024:1。

在所述半导体纳米晶体颗粒中，锌的量可大于硒的量。

所述半导体纳米晶体颗粒可具有小于或等于约0.03:1的碲对锌的摩尔比(例如，如通过电感耦合等离子体-原子发射光谱法测量的)。

所述半导体纳米晶体颗粒可以基于其总重量的约1重量百分比(重量％)或更小的量包括碲。

所述第一半导体材料可包括ZnTe_xSe_1-x(其中，x大于约0且小于或等于约0.05)。

所述芯的尺寸可大于或等于约2nm。

所述芯的尺寸可小于或等于约6nm。

所述第二半导体材料可包括锌、硒、和硫。

所述壳可包括多个层并且所述多个层的相邻的层可包括彼此不同的半导体材料。