[发明专利]新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置有效
申请号: | 201810447100.7 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108649012B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 唐娜娜;杨鹏远;王建冲;韩玮琦;侯占杰;张玉利;黎远成;荣吉平;姜鑫;李金亮 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 陶瓷 具有 静电 卡盘 装置 | ||
1.一种新型陶瓷塞,其特征在于,包括从上至下依次连接的陶瓷塞上部、多孔陶瓷柱和陶瓷套管,所述陶瓷塞上部包括圆柱部和设置在所述圆柱部的上部的环形凸台部,所述环形凸台部的中部设置有第一冷却气体孔,所述圆柱部的中部设置有第二冷却气体孔,所述陶瓷套管的中部设置有第三冷却气体孔,
所述第二冷却气体孔的直径大于所述第一冷却气体孔的直径,所述第三冷却气体孔的直径大于等于所述第二冷却气体孔的直径。
2.根据权利要求1所述的新型陶瓷塞,其特征在于,所述陶瓷塞上部与所述多孔陶瓷柱之间、所述多孔陶瓷柱与所述陶瓷套管之间均通过粘接的方式进行连接。
3.根据权利要求2所述的新型陶瓷塞,其特征在于,所述第一冷却气体孔的直径为0.1~0.7mm,孔深为1~2mm,所述第二冷却气体孔的直径为0.2~3mm,孔深为1~2mm,所述第三冷却气体孔的直径为0.2~4mm,孔深为1~2mm。
4.根据权利要求1-3任一所述的新型陶瓷塞,其特征在于,所述多孔陶瓷柱的孔隙率为35%~70%,所述多孔陶瓷柱的厚度为1~2mm。
5.根据权利要求4所述的新型陶瓷塞,其特征在于,所述陶瓷塞上部、多孔陶瓷柱和陶瓷套管采用的材料均为氮化铝或者氧化铝。
6.一种静电卡盘装置,包括基座,所述基座上从上至下依次设置有介电层、直流电极层、绝缘层和冷却气体均布板,所述介电层、直流电极层和绝缘层上穿设有第五冷却气体孔,所述冷却气体均布板上设置有与所述第五冷却气体孔相连通的第四冷却气体孔,其特征在于,所述第四冷却气体孔内设置有权利要求1-5任一所述的新型陶瓷塞。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造